DFN0606 Trench MOSFETs

Nexperia DFN0606 Trench MOSFETs are designed to utilize Trench MOSFET technology to provide low threshold voltage and very fast switching. These Nexperia MOSFETs feature electrostatic discharge (ESD) protection and are available in a leadless ultra-small DFN0606-3 (SOT8001) surface-mount (SMD) plastic package. Typical applications include mobile phones, wearable and portable devices, mobile phone accessories, headsets, earphones, and hearing aids.

Wyniki: 11
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Opakowanie
Nexperia MOSFETs SOT8001 P-CH 30V .6A 246Na stanie magazynowym
10 000Oczekiwane: 02.04.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 10 000

Si SMD/SMT DFN-0606-3 P-Channel 1 Channel 30 V 600 mA 1 Ohms - 8 V, 8 V 950 mV 600 pC - 55 C + 150 C 660 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT8001 N-CH 60V .35A
98 027Oczekiwane: 02.04.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 10 000

Si SMD/SMT DFN-1006-3 N-Channel 1 Channel 60 V 350 mA 2.8 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 1 nC - 55 C + 150 C 710 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT8001 N-CH 60V .38A
29 624Oczekiwane: 02.04.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 10 000

Si SMD/SMT DFN-0606-3 N-Channel 1 Channel 60 V 380 mA 2.3 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 500 pC - 55 C + 150 C 2.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT8001 N-CH 50V .38A
20 000Oczekiwane: 02.04.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 10 000

Si SMD/SMT DFN-0606-3 N-Channel 1 Channel 50 V 350 mA 2.8 Ohms - 8 V, 8 V 900 mV 470 pC - 55 C + 150 C 2.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT8001 P-CH 30V .52A
39 664Oczekiwane: 02.04.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 10 000

Si SMD/SMT DFN-0606-3 P-Channel 1 Channel 30 V 520 mA 1.6 Ohms - 10 V, 10 V 950 mV 400 pC - 55 C + 150 C 710 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT8001 N-CH 20V 1.2A
9 692Oczekiwane: 02.04.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 10 000

Si SMD/SMT DFN-0606-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.2 A 310 mOhms - 8 V, 8 V 950 mV 630 pC - 55 C + 150 C 660 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT8001 N-CH 30V .9A
20 000Oczekiwane: 02.04.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 10 000

Si SMD/SMT DFN-0606-3 N-Channel 1 Channel 30 V 900 mA 460 mOhms - 8 V, 8 V 950 mV 620 pC - 55 C + 150 C 660 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT8001 N-CH 30V .77A
10 000Oczekiwane: 02.04.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 10 000

Si SMD/SMT DFN-0606-3 N-Channel 1 Channel 30 V 770 mA 670 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV 400 pC - 55 C + 150 C 710 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT8001 P-CH 20V .8A
29 929Oczekiwane: 02.04.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 10 000

Si SMD/SMT DFN-0606-3 P-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 640 mOhms - 8 V, 8 V 950 mV 600 pC - 55 C + 150 C 660 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT8001 N-CH 20V .8A
19 970Oczekiwane: 02.04.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 10 000

Si SMD/SMT DFN-0606-3 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 620 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV 310 pC - 55 C + 150 C 625 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT8001 P-CH 20V .53A
20 000Oczekiwane: 02.04.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 10 000

Si SMD/SMT DFN-0606-3 P-Channel 1 Channel 20 V 530 mA 1.4 Ohms - 8 V, 8 V 950 mV 290 pC - 55 C + 150 C 625 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel