Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

PMH550UNEH

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

771-PMH550UNEH

Nr prod.:

PMH550UNEH

Produc.:

Nexperia

Opis:

MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.

Karta charakterystyki:

PMH550UNEH Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Nexperia PMH550UNEH

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne obecnie - prosimy zadzwonić, aby otrzymać wycenę

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Nexperia
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	DFN-0606-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	30 V
Id – Ciągły prąd drenu:	770 mA
Rds On – rezystancja dren–źródło:	670 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 8 V, 8 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	450 mV
Qg – ładunek bramki:	400 pC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	710 mW
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Nexperia
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	MY
Czas zanikania:	2 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	2.2 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	2 ns
Wielkość opakowania producenta:	10000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	4 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	1 ns
Nazwy umowne nr części:	934660491125
Jednostka masy:	0,456 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

                        
The factory is currently not accepting orders for this product.

Filtruj dokument:

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
ECCN:: EAR99

DFN0606 Trench MOSFETs

Nexperia DFN0606 Trench MOSFETs are designed to utilize Trench MOSFET technology to provide low threshold voltage and very fast switching. These Nexperia MOSFETs feature electrostatic discharge (ESD) protection and are available in a leadless ultra-small DFN0606-3 (SOT8001) surface-mount (SMD) plastic package. Typical applications include mobile phones, wearable and portable devices, mobile phone accessories, headsets, earphones, and hearing aids.