Tranzystory FET eMode GaN

Nexperia eMode GaN FETs come in a voltage range from 100V to 650V with superior switching performance. These GaN FETs offer fast transition capabilities through their low QC and QOSS values, resulting in excellent power efficiency.

Wyniki: 12
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nexperia GaN FETs GANE140-700BBA/SOT428/DPAK
Karta charakterystyki
2 445Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 17 A 140 mOhms 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement
Nexperia GaN FETs GANE190-700BBA/SOT428/DPAK
Karta charakterystyki
2 416Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 11.5 A 190 mOhms 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement
Nexperia GaN FETs GANE350-650FBA/SOT8075/DFN5060
Karta charakterystyki
2 071Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-5 P-Channel 1 Channel 650 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 65 W Enhancement
Nexperia GaN FETs GANE350-700BBA/SOT428/DPAK
Karta charakterystyki
2 360Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement
Nexperia GaN FETs GANE240-700BBA/SOT428/DPAK
Karta charakterystyki
2 488Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 10 A 240 mOhms 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement
Nexperia GaN FETs SOT8074 650V 17A FET
Karta charakterystyki
2 050Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms 1.2 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia GaN FETs SOT8075 650V 17A FET
Karta charakterystyki
1 657Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia GaN FETs SOT8075 650V 11.5A FET
Karta charakterystyki
1 664Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Nexperia GaN FETs SOT8072 100V 60A FET
Karta charakterystyki
1 559Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 500

SMD/SMT WLCSP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 3.2 mOhms - 6 V, + 6 V 2.5 V 12 nC - 40 C + 150 C 394 W Enhancement
Nexperia GaN FETs SOT8073 150V 28A FET
Karta charakterystyki
4 187Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT FCLGA-3 N-Channel 1 Channel 150 V 28 A 7 mOhms - 6 V, + 6 V 2.1 V 7.6 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement
Nexperia GaN FETs SOT8074 650V 11.5A FET
Karta charakterystyki
645Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Nexperia GaN FETs SOT8074 650V 29A FET
Karta charakterystyki
14Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement