GNP2x 650V Enhancement Mode GaN HEMTs

ROHM Semiconductor GNP2x 650V Enhancement Mode GaN High-Electron-Mobility Transistors (HEMTs) are designed for high-performance power conversion applications. These modules feature a high breakdown voltage and a low gate charge. The GNP2x series offers high efficiency, high power density, and fast switching capabilities. ROHM GaN HEMTs feature an 8.5V transient gate-to-source voltage and operate within the -55°C to +150°C temperature range. Typical applications include high-switching-frequency and high-density converters.

Wyniki: 4
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
ROHM Semiconductor GaN FETs TOLL8N 650V 27A HEMT
Karta charakterystyki
1 913Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

SMD/SMT TOLL-8N N-Channel 1 Channel 650 V 27 A 98 mOhms - 10 V to + 6.5 V 1.5 V 5.2 nC - 55 C + 150 C 159 W Enhancement
ROHM Semiconductor GaN FETs GaN FETs 650V, 23A, 70m
Karta charakterystyki
839Na stanie magazynowym
3 500Oczekiwane: 05.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 500
SMD/SMT DFN8080CK-8 N-Channel 1 Channel 650 V 27.2 A 98 mOhms - 10 V, + 6.5 V 2.5 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 169 W Enhancement
ROHM Semiconductor GaN FETs GaN FETs 650V, 14.5A, 130m, Pd 91W
Karta charakterystyki
1 574Na stanie magazynowym
3 500Oczekiwane: 06.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 500
SMD/SMT DFN8080CK-8 N-Channel 1 Channel 650 V 14.5 A 182 mOhms - 10 V, + 6.5 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 91 W Enhancement
ROHM Semiconductor GaN FETs DFN 650V 33.8 HEMT
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 25 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 500

SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 33.8 A 70 mOhms - 10 V, 6.5 V 2.5 V 6.4 nC - 55 C + 150 C 187 W Enhancement