High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

Wyniki: 69
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania Opakowanie/obudowa Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Kwalifikacje Nazwa handlowa
onsemi SiC MOSFETs 1200V/9MOSICFETG3TO247 368Na stanie magazynowym
270,34 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 120 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V 234 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO220-3 902Na stanie magazynowym
97,11 zł
62,44 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 5 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 650V/40MOSICFETG3TO247-3 1 166Na stanie magazynowym
57,73 zł
43,78 zł
41,32 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 54 A 42 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO247-4 583Na stanie magazynowym
48,09 zł
27,41 zł
25,39 zł
24,46 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 1200V/80MOSICFETG3TO247-3 1 142Na stanie magazynowym
80,08 zł
48,84 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 650V/7MOSICFETG3TO247-4 445Na stanie magazynowym
293,79 zł
252,30 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 120 A 9 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 214 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 1200V/16MOSICFETG3TO24 466Na stanie magazynowym
267,34 zł
219,87 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 107 A 21 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V 218 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO247 513Na stanie magazynowym
97,55 zł
62,83 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 300
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO247-3 639Na stanie magazynowym
46,60 zł
26,66 zł
24,73 zł
23,67 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 650V/40MOSICFETG3TO247-4 3 278Na stanie magazynowym
74,93 zł
44,84 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 43 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO220-3 472Na stanie magazynowym
44,35 zł
26,14 zł
24,16 zł
22,53 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/44MOSICFETG4TO263 648Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
53,11 zł
30,40 zł
28,78 zł
Opakowanie zbiorcze
28,78 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 35.6 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 1200V/150MOSICFETG3TO263-7 357Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
47,56 zł
27,72 zł
25,56 zł
24,20 zł
Opakowanie zbiorcze
24,20 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 17 A 150 mOhms - 25 V, + 25 V 4.4 V 25.7 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO220-3 425Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 28.12.2026
100,63 zł
80,56 zł
69,65 zł
62,44 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 1 000
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO220-3 353Na stanie magazynowym
2 000Oczekiwane: 22.01.2027
41,84 zł
29,17 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 1 000
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO247 713Na stanie magazynowym
45,76 zł
25,17 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 300
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TO247 642Na stanie magazynowym
51,79 zł
30,36 zł
30,10 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 600
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TO247 534Na stanie magazynowym
90,42 zł
71,76 zł
62,04 zł
58,74 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 600
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TO247-4 560Na stanie magazynowym
52,84 zł
37,44 zł
32,78 zł
27,63 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TO263 278Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
92,58 zł
69,12 zł
59,80 zł
53,59 zł
Opakowanie zbiorcze
53,59 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 1200V/40MOSICFETG3TO247-4 630Na stanie magazynowym
111,67 zł
74,14 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 1200V/16MOSICFETG3TO24 203Na stanie magazynowym
228,54 zł
181,50 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 107 A 21 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V 218 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 1200V/40MOSICFETG3TO24 227Na stanie magazynowym
111,19 zł
82,98 zł
74,36 zł
74,14 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO263-7 795Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
94,07 zł
63,36 zł
59,97 zł
Opakowanie zbiorcze
59,97 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 62 A 27 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 43 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 650V/40MOSICFETG3TO263 736Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
72,07 zł
46,55 zł
43,91 zł
41,54 zł
Opakowanie zbiorcze
41,54 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 43 A 42 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 43 nC - 55 C + 175 C 195 W Enhancement SiC FET