Wyniki: 40
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
917Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 39 A 73 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 51 nC - 40 C + 150 C 154 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
2 894Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 33 A 85 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 40 C + 150 C 137 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
5 688Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
26 080Na stanie magazynowym
23 520Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
14 433Na stanie magazynowym
6 500Oczekiwane: 17.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 69 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 51 nC - 55 C + 150 C 129 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
2 273Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 69 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 51 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
1 553Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 67 nC - 55 C + 150 C 164 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
1 531Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 69 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 51 nC - 55 C + 150 C 129 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
1 225Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 77 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 117 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
5 343Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 26 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 95 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
1 024Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 04.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 26 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
6 257Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Karta charakterystyki
14 690Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25 nC - 40 C + 150 C 72 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
961Na stanie magazynowym
3 000Oczekiwane: 04.05.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 41 A 53 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 67 nC - 40 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
4 754Na stanie magazynowym
6 000Oczekiwane: 02.07.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 27 A 104 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 36 nC - 40 C + 150 C 111 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
4 395Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 149 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25 nC - 40 C + 150 C 81 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
658Na stanie magazynowym
7 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 67 nC - 55 C + 150 C 164 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
851Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 77 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 117 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
527Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 101 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 164 nC - 55 C + 150 C 291 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
871Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 67 nC - 55 C + 150 C 164 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
956Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 77 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 117 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
366Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23.8 A 374 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 44 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Karta charakterystyki
783Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 340 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 25 nC - 40 C + 150 C 26 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
26Na stanie magazynowym
240Oczekiwane: 04.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 61 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 90 nC - 55 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
7Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 21.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 67 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement CoolMOS Tube