650V CoolMOS™ CFD7 SJ Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolMOS™ CFD7 SJ Power MOSFETs are ultra-fast diodes that extend the voltage class offering of the CFD7 family. The power MOSFETs have an additional 50V breakdown voltage, integrated fast body diode, improved switching performance, and excellent thermal behavior. These CFD7 power MOSFETs offer the highest efficiency in resonant switching topologies, such as LLC and phase-shift-full-bridge (ZVS). The MOSFETs blend all the advantages of a fast-switching technology with superior hard computation robustness. These power MOSFETs support CoolMOS™ CFD7 technology that meets reliability standards and supports high power density solutions.

Wyniki: 17
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
Infineon Technologies MOSFETs 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device
Karta charakterystyki
525Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 750

Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device
Karta charakterystyki
525Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 750

Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
384Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 41 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
272Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms - 10 V, 10 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
439Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) N-Channel 1 Channel 700 V 50 A 41 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
1 037Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
240Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 69 A 29 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
140Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 106 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 234 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
314Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 68.5 A 41 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 102 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
734Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 23 nC - 40 C + 150 C 63 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
633Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 16.02.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V 15 A 155 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 77 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
318Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 50 A 41 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
151Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms - 10 V, 10 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
136Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 69 A 29 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
94Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 19 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 98 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Karta charakterystyki
240Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 63 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 145 nC - 40 C + 150 C 305 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 17 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement Tube