Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

IPZA65R035CFD7AXKSA1

Name: Infineon IPZA65R035CFD7AXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPZA65R035CFD7AX
Price: 48.3 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-IPZA65R035CFD7AX

Nr prod.:

IPZA65R035CFD7AXKSA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

IPZA65R035CFD7AXKSA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies IPZA65R035CFD7AXKSA1

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 19 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	48,30 zł	48,30 zł
	29,11 zł	291,10 zł
	25,41 zł	2 541,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-247-4
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	650 V
Id – Ciągły prąd drenu:	63 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	35 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.5 V
Qg – ładunek bramki:	145 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	305 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Tube
Marka:	Infineon Technologies
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	CN
Kraj wytworzenia:	DE
Kraj pochodzenia:	DE
Czas zanikania:	2.7 ns
Wrażliwość na wilgoć:	Yes
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	9.2 ns
Wielkość opakowania producenta:	240
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	131 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	30 ns
Nazwy umowne nr części:	IPZA65R035CFD7A -

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IPZA65R035CFD7AXKSA1 Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

650V CoolMOS™ CFD7A SJ Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolMOS™ CFD7A SJ Power MOSFETs address electric vehicle applications such as on-board chargers, HV-LV DC-DC converters, and auxiliary power supplies. Thanks to the improved cosmic radiation robustness, the CoolMOS CFD7A SJ Power MOSFETs allow higher battery voltages to be applied at a reliability rate equal to that of previous generations and other market offerings. CoolMOS CFD7A SJ Power MOSFETs ensure high-efficiency levels in hard- and resonant switching topologies, particularly at light load conditions. Higher switching frequencies at gate loss levels comparable to those of former generations are reached. The reduction in system weight and the smaller occupied space result in more compact designs.

650V CoolMOS™ CFD7 SJ Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolMOS™ CFD7 SJ Power MOSFETs are ultra-fast diodes that extend the voltage class offering of the CFD7 family. The power MOSFETs have an additional 50V breakdown voltage, integrated fast body diode, improved switching performance, and excellent thermal behavior. These CFD7 power MOSFETs offer the highest efficiency in resonant switching topologies, such as LLC and phase-shift-full-bridge (ZVS). The MOSFETs blend all the advantages of a fast-switching technology with superior hard computation robustness. These power MOSFETs support CoolMOS™ CFD7 technology that meets reliability standards and supports high power density solutions.