PLN Międzynarodowe Reguły Handlu:DDP W wybranych metodach wysyłki wszystkie ceny zawierają cło i opłaty celne. Darmowa wysyłka na większość zamówień powyżej 200 zł (PLN) Wszystkie dostępne opcje płatności
Euro Międzynarodowe Reguły Handlu:DDP W wybranych metodach wysyłki wszystkie ceny zawierają cło i opłaty celne. Darmowa wysyłka na większość zamówień powyżej 50 € (EUR) Wszystkie dostępne opcje płatności
USD Międzynarodowe Reguły Handlu:DDP W wybranych metodach wysyłki wszystkie ceny zawierają cło i opłaty celne. Darmowa wysyłka na większość zamówień powyżej $60 (USD) Wszystkie dostępne opcje płatności
Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny Zobacz specyfikację produktu
Udostępnij to
Generowanie łącza nie powiodło się. Spróbuj ponownie.
CoolSiC™ Automotive 1200V G1 SiC Trench MOSFETs
Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 1200V G1 SiC Trench MOSFETs offer increased power density, higher efficiency, and improved reliability. The granular portfolio features 1200V SiC MOSFETs in TO-247-3pin, TO-247-4pin, and D2PAK-7pin packages with an RDS(on) ranging from 8.7mΩ to 160mΩ, and ID at +25°C, maximum of 17A to 205A. High power density, superior efficiency, bi-directional charging capabilities, and significant reductions in system costs make the Infineon Technologies 1200V Automotive CoolSiC™ MOSFET Modules an ideal choice for onboard charger and DC-DC applications. The TO- and SMD components also come with Kelvin-source pins for optimized switching performance.
