CoolSiC™ Automotive 1200V G1 SiC Trench MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 1200V G1 SiC Trench MOSFETs offer increased power density, higher efficiency, and improved reliability. The granular portfolio features 1200V SiC MOSFETs in TO-247-3pin, TO-247-4pin, and D2PAK-7pin packages with an RDS(on) ranging from 8.7mΩ to 160mΩ, and ID at +25°C, maximum of 17A to 205A. High power density, superior efficiency, bi-directional charging capabilities, and significant reductions in system costs make the Infineon Technologies 1200V Automotive CoolSiC™ MOSFET Modules an ideal choice for onboard charger and DC-DC applications. The TO- and SMD components also come with Kelvin-source pins for optimized switching performance.

Rodzaje tranzystorów
Zmień widok kategorii
Wyniki: 30
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Rodzaj produktu
Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Infineon Technologies SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
Karta charakterystyki
284Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
Karta charakterystyki
735Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
Karta charakterystyki
1 157Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
Karta charakterystyki
2 346Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC Automotive MOSFET 1200 V
Karta charakterystyki
1 070Na stanie magazynowym
1 500Dostępna ilość z otwartych zamówień
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs Tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture
Karta charakterystyki
344Na stanie magazynowym
2 250Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
Karta charakterystyki
484Na stanie magazynowym
750Oczekiwane: 25.02.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
Karta charakterystyki
1 478Na stanie magazynowym
750Oczekiwane: 09.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
Karta charakterystyki
1 780Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs Tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture
Karta charakterystyki
158Na stanie magazynowym
750Oczekiwane: 28.01.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs SIC_DISCRETE
Karta charakterystyki
465Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

MOSFETs Si
Infineon Technologies SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
Karta charakterystyki
805Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs SIC_DISCRETE
Karta charakterystyki
899Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

MOSFETs Si
Infineon Technologies SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
Karta charakterystyki
898Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs SIC_DISCRETE
Karta charakterystyki
1 899Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

MOSFETs Si SMD/SMT
Infineon Technologies SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
Karta charakterystyki
170Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
Karta charakterystyki
465Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
Karta charakterystyki
147Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
Karta charakterystyki
131Na stanie magazynowym
240Oczekiwane: 08.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
Karta charakterystyki
214Na stanie magazynowym
240Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
Karta charakterystyki
1Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs SIC_DISCRETE
Karta charakterystyki
2 000Oczekiwane: 10.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

MOSFETs Si
Infineon Technologies SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs SIC_DISCRETE
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000
: 1 000

MOSFETs Si
Infineon Technologies SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel