TP65H070G4RS-TR

Renesas Electronics
227-TP65H070G4RS-TR
TP65H070G4RS-TR

Produc.:

Opis:
GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TOLT

Cykl życia:
Nowości w Mouser
Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o Renesas Electronics TP65H070G4RS-TR

Na stanie magazynowym: 1 696

Stany magazynowe:
1 696 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
29,46 zł 29,46 zł
20,04 zł 200,40 zł
15,44 zł 1 544,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1300)
13,16 zł 17 108,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Renesas Electronics
Kategoria produktów: Tranzystory GaN FET
RoHS:  
SMD/SMT
TOLT-16
N-Channel
1 Channel
650 V
29 A
85 mOhms
- 20 V, + 20 V
4.8 V
9 nC
- 55 C
+ 150 C
96 W
Enhancement
SuperGaN
Marka: Renesas Electronics
Konfiguracja: Single
Czas zanikania: 7.2 ns
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Opakowanie: Reel
Opakowanie: Cut Tape
Rodzaj produktu: GaN FETs
Czas narastania: 6.2 ns
Seria: Gen IV SuperGaN
Wielkość opakowania producenta: 1300
Podkategoria: Transistors
Technologia: GaN
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 56 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 43.4 ns
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Karta charakterystyki

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

CNHTS:
8541290000
ECCN:
EAR99

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

TP65H070G4RS 650V SuperGaN® FET in TOLT

Renesas Electronics TP65H070G4RS 650V SuperGaN® FET in TOLT features an on-resistance RDS(on) of 72mΩ typical in a top-side-cooled, surface-mount TOLT package that meets the JEDEC standard MO-332. The TOLT package offers thermal management flexibility, especially in systems that do not allow for conventional surface-mount devices with bottom-side cooling. The TP65H070G4RS is a normally-off device that combines low-voltage silicon MOSFET and high-voltage GaN HEMT technologies to deliver superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform leverages advanced epitaxial (epi) and patented design technologies to streamline manufacturability and enhance efficiency compared to silicon. It achieves this by reducing gate charge, crossover loss, output capacitance, and reverse recovery charge. Renesas Electronics TP65H070G4RS 650V SuperGaN TOLT FET is ideal for datacom, industrial, computing, and other applications.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.