Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

QPD1026L

Name: Qorvo QPD1026L
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1026L
Price: 6403.73 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

772-QPD1026L

Nr prod.:

QPD1026L

Produc.:

Qorvo

Opis:

GaN FETs 1500W, 65V,GaN pre-matched, 442(+/-5) MH

Karta charakterystyki:

QPD1026L Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Qorvo QPD1026L

Na stanie magazynowym: 7

Stany magazynowe:: 7 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Ilości większe niż 7 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	6 403,73 zł	6 403,73 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Qorvo
Kategoria produktów:	Tranzystory GaN FET
RoHS:
Marka:	Qorvo
Maksymalna częstotliwość robocza:	450 MHz
Minimalna częstotliwość robocza:	420 MHz
Wrażliwość na wilgoć:	Yes
Moc wyjściowa:	1.5 kW
Opakowanie:	Waffle
Rodzaj produktu:	GaN FETs
Seria:	QPD1026L
Wielkość opakowania producenta:	18
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	GaN
Rodzaj tranzystora:	HEMT

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

QPD1026L Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

USHTS:: 8541497080
ECCN:: EAR99

QPD1026L GaN RF Input-Matched Transistor

Qorvo QPD1026L GaN RF Input-Matched Transistor is a 1300W (P3dB) discrete Gallium Nitride on Silicon Carbide High-Electron Mobility Transistor (GaN on SiC HEMT) operating from 420MHz to 450MHz. The QPD1026L provides a linear gain of 25.9dB at 440MHz. Input prematch within the package results in easier external board matching, saving board space. The device supports both continuous wave and pulsed operations.