RFxL RF Power LDMOS Transistors

STMicroelectronics RFxL RF Power LDMOS Transistors offer high-performance intended for multiple applications with different frequency bands. The RFxL RF Power Transistors are available in B4E, B2, and LBB packages.

Wyniki: 4
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Polaryzacja tranzystora
Technologia
Id – Ciągły prąd drenu
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Rds On – rezystancja dren–źródło
Częstotliwość robocza
Wzmocnienie
Moc wyjściowa
Maksymalna temperatura robocza
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Opakowanie
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
Karta charakterystyki
110Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 120

N-Channel Si 2.5 A 110 V 1 Ohms 1 GHz 19 dB 400 W + 200 C SMD/SMT B4E-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
Karta charakterystyki
20Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 120

N-Channel Si 2.5 A 65 V 1 Ohms 1.6 GHz 14 dB 180 W + 200 C SMD/SMT B4E-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors 250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 100
Wielokr.: 100
Szpula: 100

N-Channel Si 2.5 A 90 V 1 Ohms 1 MHz 18 dB 250 W + 200 C SMD/SMT LBB-5 Reel
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors 75 W, 28 V, 3.1 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 120

N-Channel Si 2.5 A 60 V 1 Ohms 3.5 GHz 12.5 dB 75 W + 200 C SMD/SMT B2-3 Reel, Cut Tape, MouseReel