Tranzystory JFET RF 5 G i tranzystory FET LDMOS

Tranzystory polowe złączowe JFET i tranzystory polowe typu metal-tlenek-półprzewodnik LDMOS 5G RF firmy MACOM to wysokiej mocy tranzystory wzmocnione termicznie dla bezprzewodowej transmisji nowej generacji. Urządzenia te oferują technologię tranzystorów o wysokiej ruchliwości elektronów (HEMT) GaN na SiC, dopasowanie sygnału wejściowego, wysoką wydajność oraz ulepszoną termicznie obudowę do montażu powierzchniowego z kołnierzem bez uszu. Tranzystory MACOM 5G RF JFET i LDMOS FET idealnie nadają się do stosowania w wielostandardowych komórkowych wzmacniaczach mocy. 

Rodzaje półprzewodników

Zmień widok kategorii
Wyniki: 8
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS
MACOM RF MOSFET Transistors 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz 90Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 250

MACOM GaN FETs 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz 17Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 50

MACOM GaN FETs 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz 53Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 50

MACOM RF MOSFET Transistors 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz Niedostępne na stanie
Min.: 50
Wielokr.: 50
Szpula: 50

MACOM GaN FETs 480W GaN HEMT 48V 3800MHz
50Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 50

MACOM GaN FETs 200W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
40Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 50

MACOM GaN FETs 280W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
30Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 50

MACOM GaN FETs 400W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
40Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 50