Tranzystory JFET RF 5 G i tranzystory FET LDMOS

Tranzystory polowe złączowe JFET i tranzystory polowe typu metal-tlenek-półprzewodnik LDMOS 5G RF firmy MACOM to wysokiej mocy tranzystory wzmocnione termicznie dla bezprzewodowej transmisji nowej generacji. Urządzenia te oferują technologię tranzystorów o wysokiej ruchliwości elektronów (HEMT) GaN na SiC, dopasowanie sygnału wejściowego, wysoką wydajność oraz ulepszoną termicznie obudowę do montażu powierzchniowego z kołnierzem bez uszu. Tranzystory MACOM 5G RF JFET i LDMOS FET idealnie nadają się do stosowania w wielostandardowych komórkowych wzmacniaczach mocy. 

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Polaryzacja tranzystora Technologia Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Rds On – rezystancja dren–źródło Częstotliwość robocza Wzmocnienie Moc wyjściowa Maksymalna temperatura robocza Styl mocowania Opakowanie/obudowa Opakowanie
MACOM RF MOSFET Transistors 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz 90Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 250

N-Channel Si 65 V 80 mOhms 2.62 GHz to 2.69 GHz 13.5 dB 400 W + 225 C Screw Mount HB2SOF-8-1 Reel, Cut Tape, MouseReel
MACOM RF MOSFET Transistors 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz Niedostępne na stanie
Min.: 50
Wielokr.: 50
Szpula: 50

N-Channel Si 65 V 80 mOhms 2.62 GHz to 2.69 GHz 13.5 dB 400 W + 225 C Screw Mount HB2SOF-8-1 Reel