NV60x GaNFast™ Power FETs

Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs are high‑performance enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems. These FETs feature ultra‑low gate charge, zero reverse‑recovery behavior, and minimized output charge, enabling high‑frequency operation up to 10MHz across the series. The Navitas Semiconductor NV60x supports 700V continuous and 800V transient drain‑to‑source voltages, providing robust headroom for demanding AC‑DC, DC‑DC, and DC‑AC topologies.

Wyniki: 8
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFast Discrete 650V 260mOhm PQFN 56
Karta charakterystyki
690Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 5 A 364 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 1.5 nC - 55 C + 150 C
Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFET Discrete 650V 120mOhm PQFN 56
Karta charakterystyki
647Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 13 A 170 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 2.6 nC - 55 C + 150 C
Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFast Discrete 650V 450mOhm PQFN 56
Karta charakterystyki
689Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SMD/SMT QFN-8 700 V 2.7 A 600 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 0.85 nC - 55 C + 150 C 25.4 W
Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFast Discrete 650V 150mOhm PQFN 56
Karta charakterystyki
690Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 8 A 190 mOhms - 10 V, 7 V 2.6 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 57 W
Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFast Discrete 650V 450mOhm PQFN 56
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 5 000
Wielokr.: 5 000
: 5 000

SMD/SMT QFN-8 700 V 2.7 A 600 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 0.85 nC - 55 C + 150 C 25.4 W
Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFast Discrete 650V 260mOhm PQFN 56
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 5 000
Wielokr.: 5 000
: 5 000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 5 A 364 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 1.5 nC - 55 C + 150 C
Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFast Discrete 650V 150mOhm PQFN 56
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 5 000
Wielokr.: 5 000
: 5 000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 8 A 190 mOhms - 10 V, 7 V 2.6 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 57 W
Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFET Discrete 650V 120mOhm PQFN 56
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 5 000
Wielokr.: 5 000
: 5 000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 13 A 170 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 2.6 nC - 55 C + 150 C