Tranzystory MOSFET CoolMOS™ C7 Gold (G7)

Tranzystory MOSFET CoolMOS™ C7 Gold (G7) firmy Infineon Technologies umieszczono w nowej obudowie SMD TO-Leadless (TOLL) wykorzystującej koncepcję połączeń czteropunktowych. Te tranzystory MOSFET G7 łączą udoskonaloną technologię CoolMOS™ G7 600 V i 650 V, możliwość połączenia czteropunktowego i lepsze właściwości termiczne obudowy TO-Leadless. To umożliwia rozwiązanie SMD do topologii związanych z trudnymi operacjami przełączania wysokich prądów, np. korekcja współczynnika mocy (PFC) do 3 kW. W przypadku CoolMOS™ G7 600 V tranzystory MOSFET mogą być wykorzystywane do obwodów rezonansowych, np. jako przetwornik LLC strony wysokopotencjałowej.

Wyniki: 12
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
1 354Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 80 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 174 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
2 005Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER NEW
Karta charakterystyki
1 783Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 88 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 141 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
1 483Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
2 682Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 44 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
2 804Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 4.7 V 17 nC - 55 C + 150 C 119 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER NEW
Karta charakterystyki
2 122Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 75 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 123 nC - 55 C + 150 C 391 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
3 979Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
21Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER NEW
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 108 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 17 tygodni
Min.: 2 000
Wielokr.: 2 000
Szpula: 2 000

Si CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
Czas realizacji 18 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si CoolMOS Reel, Cut Tape