Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

IPT60R180CM8XTMA1

Name: Infineon IPT60R180CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPT60R180CM8XTMA
Price: 10.46 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-IPT60R180CM8XTMA

Nr prod.:

IPT60R180CM8XTMA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

MOSFETs 600VCoolMOSCM8PowerTransistor

Karta charakterystyki:

IPT60R180CM8XTMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies IPT60R180CM8XTMA1

Na stanie magazynowym: 2 570

Stany magazynowe:: 2 570 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 8 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	10,46 zł	10,46 zł
	6,30 zł	63,00 zł
	4,45 zł	445,00 zł
	3,68 zł	1 840,00 zł
	3,47 zł	3 470,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2000)
	3,33 zł	6 660,00 zł
	3,29 zł	13 160,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	HSOF-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	600 V
Id – Ciągły prąd drenu:	18 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	180 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.7 V
Qg – ładunek bramki:	17 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	119 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	CoolMOS
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Infineon Technologies
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	MY
Kraj wytworzenia:	DE
Kraj pochodzenia:	AT
Czas zanikania:	12.8 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	6 ns
Seria:	600V CM8
Wielkość opakowania producenta:	2000
Podkategoria:	Transistors
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	88.4 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	17.2 ns
Nazwy umowne nr części:	IPT60R180CM8 SP005578053

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IPT60R180CM8XTMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolMOS™ 8 SJ MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ 8 SJ MOSFETs are high-voltage super-junction MOSFET technology solutions. The Infineon Technologies CoolMOS 8 has an integrated fast body diode and is ideal for diverse applications. The CoolMOS 8 enhances Infineon's wide-bandgap (WBG) portfolio as the successor to the 600V CoolMOS 7 MOSFET family.

Tranzystory MOSFET CoolMOS™ C7 Gold (G7)

Tranzystory MOSFET CoolMOS™ C7 Gold (G7) firmy Infineon Technologies umieszczono w nowej obudowie SMD TO-Leadless (TOLL) wykorzystującej koncepcję połączeń czteropunktowych. Te tranzystory MOSFET G7 łączą udoskonaloną technologię CoolMOS™ G7 600 V i 650 V, możliwość połączenia czteropunktowego i lepsze właściwości termiczne obudowy TO-Leadless. To umożliwia rozwiązanie SMD do topologii związanych z trudnymi operacjami przełączania wysokich prądów, np. korekcja współczynnika mocy (PFC) do 3 kW. W przypadku CoolMOS™ G7 600 V tranzystory MOSFET mogą być wykorzystywane do obwodów rezonansowych, np. jako przetwornik LLC strony wysokopotencjałowej.

CoolMOS™ Power Transistors

Infineon CoolMOS™ Power Transistors use the revolutionary CoolMOS™ technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon. CoolMOS™ C6 and E6 power transistor series combine the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high-class innovation. The resulting devices provide all the benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter, and cooler.