Tranzystory mocy MOSFET R60/R65 z kanałem typu N

Tranzystory mocy MOSFET R60/R65 firmy ROHM Semiconductor z kanałem typu N zapewniają jednokanałowe wyjście z napięciem dren-źródło 600 V lub 650 V i są umieszczone w obudowie TO-220FM-3. Tranzystory MOSFET R60/R65 charakteryzują się temperaturą roboczą od –55°C do +150°C oraz są dostępne w różnych opcjach rozpraszania mocy: 40 W, 46 W, 48 W, 53 W, 68 W, 74 W oraz 86 W. Tranzystory mocy MOSFET R60/R65 z kanałem typu N nadają się idealnie do zastosowań wymagających sprawnego przełączania.

Wyniki: 56
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie
ROHM Semiconductor MOSFETs TO247 650V 258A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
553Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 600 V 258 A 44 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 110 nC - 55 C + 150 C 781 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 600V 33A, TO-3PF, Power MOSFET: R6086YNZ is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
Karta charakterystyki
600Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 33 A 44 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 110 nC + 150 C 114 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO252 600V 7A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
5 000Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 620 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs TO252 600V 9A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
4 949Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 535 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs TO247 650V 60A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
600Oczekiwane: 22.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 185 mOhms - 20 V, 20 V 6 V 28 nC - 55 C + 150 C 182 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 11A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
Czas realizacji 18 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 400 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement Tube