Tranzystory mocy MOSFET R60/R65 z kanałem typu N

Tranzystory mocy MOSFET R60/R65 firmy ROHM Semiconductor z kanałem typu N zapewniają jednokanałowe wyjście z napięciem dren-źródło 600 V lub 650 V i są umieszczone w obudowie TO-220FM-3. Tranzystory MOSFET R60/R65 charakteryzują się temperaturą roboczą od –55°C do +150°C oraz są dostępne w różnych opcjach rozpraszania mocy: 40 W, 46 W, 48 W, 53 W, 68 W, 74 W oraz 86 W. Tranzystory mocy MOSFET R60/R65 z kanałem typu N nadają się idealnie do zastosowań wymagających sprawnego przełączania.

Wyniki: 56
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 600V 20A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
5 811Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 196 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 60 nC - 55 C + 155 C 68 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 600V 6A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
1 963Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 830 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 12 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 600V 9A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
1 727Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 535 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 15A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
3 953Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 315 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 27.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 600V 4A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
3 803Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 980 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 15 nC - 55 C + 155 C 40 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 600V 15A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
3 431Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 290 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 40 nC - 55 C + 155 C 60 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 7A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
1 972Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 665 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 11A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
1 958Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 400 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 22 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 600V 11A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
8 034Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 390 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 155 C 53 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 600V 15A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
2 896Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 290 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 27.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 600V 30A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
2 430Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 9A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
1 964Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 585 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 24 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 20A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
680Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 205 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 61 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 9A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
3 941Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 585 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 600V 20A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
936Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 196 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 40 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 4A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
1 959Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 5 V 10 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 20A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
1 739Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 205 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 40 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 600V 24A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
4 919Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 155 C 74 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 600V 24A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
1 932Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 4A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
1 986Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 15 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 30A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
1 219Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 140 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 600V 9A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
3 689Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 535 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 23 nC - 55 C + 155 C 48 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 600V 11A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
1 933Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 390 mOhms - 30 V, - 20 V, 20 V, 30 V 5 V 22 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 24A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
1 995Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 185 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 600V 30A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
3 955Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 130 mOhms - 30 V, - 20 V, 20 V, 30 V 4 V 85 nC - 55 C + 155 C 86 W Enhancement Tube