Tranzystory mocy MOSFET R60/R65 z kanałem typu N

Tranzystory mocy MOSFET R60/R65 firmy ROHM Semiconductor z kanałem typu N zapewniają jednokanałowe wyjście z napięciem dren-źródło 600 V lub 650 V i są umieszczone w obudowie TO-220FM-3. Tranzystory MOSFET R60/R65 charakteryzują się temperaturą roboczą od –55°C do +150°C oraz są dostępne w różnych opcjach rozpraszania mocy: 40 W, 46 W, 48 W, 53 W, 68 W, 74 W oraz 86 W. Tranzystory mocy MOSFET R60/R65 z kanałem typu N nadają się idealnie do zastosowań wymagających sprawnego przełączania.

Wyniki: 56
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 600V 7A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
4 998Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 620 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 600V 30A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
2 933Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 20A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
710Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 205 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 61 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 30A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
1 980Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 140 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 90 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 30A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
1 219Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 140 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs 600V 10A TO-252, High-speed switching Power MOSFET
Karta charakterystyki
2 441Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 390 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 15 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs 600V 38A TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET
Karta charakterystyki
996Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 50 nC - 55 C + 150 C 348 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs 600V 18A TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET
Karta charakterystyki
990Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 50 nC - 55 C + 150 C 81 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs 600V 38A TO-247, High-speed switching Power MOSFET
Karta charakterystyki
898Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 50 nC - 55 C + 150 C Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs 650V 1.7A TO-252, Low-noise Power MOSFET
Karta charakterystyki
3 477Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 1.7 A 4 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 6.5 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs 600V 10A TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET
Karta charakterystyki
965Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 390 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 15 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs 600V 7A TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET
Karta charakterystyki
996Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 390 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 15 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 2A 3rd Gen, Fast Recover
Karta charakterystyki
6 832Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 4 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 1 A 3.25 Ohms - 30 V, 30 V 7 V 7 nC - 55 C + 150 C 6.6 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 3A 3rd Gen, Fast Recover
Karta charakterystyki
7 443Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 4 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 1.3 A 2.15 Ohms - 20 V, 20 V 7 V 8 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 3A 3rd Gen, Fast Switch
Karta charakterystyki
7 862Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 4 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 1.3 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 5.5 V 8 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 4A 3rd Gen, Low Noise
Karta charakterystyki
7 383Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 4 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 2.4 A 980 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 15 nC - 55 C + 150 C 9.1 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 6A 3rd Gen, Fast Switch
Karta charakterystyki
7 675Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 4 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 2.8 A 870 mOhms - 20 V, 20 V 5.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 12.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs TO252 650V 42A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
4 966Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 42 A 260 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 20 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 60A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
996Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 185 mOhms - 20 V, 20 V 6 V 28 nC - 55 C + 150 C 182 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 600V 22A, TO-220AB, Power MOSFET: R6022YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
Karta charakterystyki
1 969Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 66 A 165 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 33 nC - 55 C + 150 C 205 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 66A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
994Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 66 A 165 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 33 nC - 55 C + 150 C 65 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO247 650V 66A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
581Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 600 V 66 A 165 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 33 nC - 55 C + 150 C 205 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 600V 27A, TO-220AB, Power MOSFET: R6027YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
Karta charakterystyki
1 951Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 81 A 135 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 40 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 600V 14A, TO-220FM, Power MOSFET: R6027YNX is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
Karta charakterystyki
1 988Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 81 A 135 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 40 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO247 650V 183A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
594Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 183 A 60 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 76 nC - 55 C + 150 C 568 W Enhancement Tube