Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

CGHV35400F1

Name: MACOM CGHV35400F1
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV35400F1
Price: 4598.08 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

941-CGHV35400F1

Nr prod.:

CGHV35400F1

Produc.:

MACOM

Opis:

GaN FETs Amplifier,400W,GaN HEMT, 50V,2.9-3.5GHz

Karta charakterystyki:

CGHV35400F1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o MACOM CGHV35400F1

Alert dotyczący wysyłki:

Produkt ten może wymagać dodatkowej dokumentacji przy eksporcie ze Stanów Zjednoczonych.

Na stanie magazynowym: 40

Stany magazynowe:: 40 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 26 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Ilości większe niż 40 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	4 598,08 zł	4 598,08 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	MACOM
Kategoria produktów:	Tranzystory GaN FET
Ograniczenia dotyczące wysyłki	Produkt ten może wymagać dodatkowej dokumentacji przy eksporcie ze Stanów Zjednoczonych.
RoHS:
Styl mocowania:	Screw Mount
Opakowanie/obudowa:	440225
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	125 V
Id – Ciągły prąd drenu:	24 A
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3 V
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 125 C
Marka:	MACOM
Wzmocnienie:	11 dB
Maksymalna częstotliwość robocza:	3.5 GHz
Minimalna częstotliwość robocza:	2.9 GHz
Moc wyjściowa:	400 W
Opakowanie:	Tray
Rodzaj produktu:	GaN FETs
Wielkość opakowania producenta:	10
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	GaN
Rodzaj tranzystora:	GaN HEMT
Vgs – Napięcie przebicia bramka–źródło:	- 10 V, 2 V

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

CGHV35400F1 Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: 3A001.b.3.a.3

Tranzystor CGHV35400F o mocy 400 W, impedancji we/wy 50 Ω, w technologii GaN HEMT

Tranzystory CGHV35400F CGHV35400F firmy Wolfspeed o mocy 400 W, dla częstotliwości od 2,4 GHz do 3,5 GHz i impedancji wej/wyj 50 Ω, wykonane w technologii GaN HEMT do stosowania we wzmacniaczach radarowych pasma S, oferują wysoką wydajność, duże wzmocnienie i ogromne możliwości w zakresie szerokości pasma. Tranzystor CGHV35400F jest dopasowany do impedancji 50 Ω na wejściu i 50 Ω na wyjściu.