Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Kwalifikacje
Opakowanie
onsemi MOSFETs MV8 P INITIAL PROGRAM
Karta charakterystyki
4 236Na stanie magazynowym
6 000Oczekiwane: 29.05.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 1 020
: 1 500

Si SMD/SMT WDFN-8 P-Channel 1 Channel 40 V 64 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 34.6 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFETs MV8 P INITIAL PROGRAM
Karta charakterystyki
9 946Oczekiwane: 28.08.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT WDFN-8 P-Channel 1 Channel 40 V 64 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 34.6 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel