Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

QPD1006

Name: Qorvo QPD1006
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1006
Price: 5538.4 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

772-QPD1006

Nr prod.:

QPD1006

Produc.:

Qorvo

Opis:

GaN FETs 450W 50V 1.2-1.4GHz GaN IMFET

Karta charakterystyki:

QPD1006 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Qorvo QPD1006

Na stanie magazynowym: 18

Stany magazynowe:: 18 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 20 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Ilości większe niż 18 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	5 538,40 zł	5 538,40 zł
25	Oferta

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Qorvo
Kategoria produktów:	Tranzystory GaN FET
RoHS:
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	NI-50CW
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Id – Ciągły prąd drenu:	14 A
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 85 C
Pd – strata mocy:	445 W
Marka:	Qorvo
Konfiguracja:	Single
Zestaw projektowy:	QPD1006EVB3
Wzmocnienie:	17.8 dB
Maksymalne napięcie dren-bramka:	145 V
Maksymalna częstotliwość robocza:	1.4 GHz
Minimalna częstotliwość robocza:	1.2 GHz
Wrażliwość na wilgoć:	Yes
Moc wyjściowa:	450 W
Opakowanie:	Waffle
Rodzaj produktu:	GaN FETs
Seria:	QPD1006
Wielkość opakowania producenta:	36
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	GaN
Rodzaj tranzystora:	HEMT

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

QPD1006 Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

QPD1006 GaN RF IMFET Transistor

Qorvo QPD1006 GaN RF Internally Matched FET (IMFET) Transistor is a 450W GaN SiC high-electron mobility transistor (HEMT). The QPD1006 transistor operates from 1.2GHz to 1.4GHz frequency range and a 50V supply rail. This device can support pulsed and continuous wave (CW) operations. Qorvo QPD1006 transistor is GaN IMFET fully matched to 50Ω in an industry-standard air cavity package. This IMFET transistor is ideally suited for military and civilian radar.