Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

CGHV31500F1

Name: MACOM CGHV31500F1
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV31500F1
Price: 4595.11 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

941-CGHV31500F1

Nr prod.:

CGHV31500F1

Produc.:

MACOM

Opis:

GaN FETs 500W, GaN HEMT, 50V, 2.7-3.1GHz,Long-pulse, Flange

Karta charakterystyki:

CGHV31500F1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o MACOM CGHV31500F1

Alert dotyczący wysyłki:

Produkt ten może wymagać dodatkowej dokumentacji przy eksporcie ze Stanów Zjednoczonych.

Na stanie magazynowym: 49

Stany magazynowe:: 49 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

Ilości większe niż 49 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	4 595,11 zł	4 595,11 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	MACOM
Kategoria produktów:	Tranzystory GaN FET
Ograniczenia dotyczące wysyłki	Produkt ten może wymagać dodatkowej dokumentacji przy eksporcie ze Stanów Zjednoczonych.
RoHS:	N
Styl mocowania:	Screw Mount
Opakowanie/obudowa:	440226-2
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	150 V
Id – Ciągły prąd drenu:	500 mA
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 75 C
Pd – strata mocy:	418 W
Marka:	MACOM
Maksymalne napięcie dren-bramka:	- 2.7 V
Maksymalna częstotliwość robocza:	3.1 GHz
Minimalna częstotliwość robocza:	2.7 GHz
Moc wyjściowa:	500 W
Opakowanie:	Tray
Rodzaj produktu:	GaN FETs
Wielkość opakowania producenta:	1
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	GaN
Rodzaj tranzystora:	GaN HEMT

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

CGHV31500F1 Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: 3A001.b.3.a.2

CGHV31500F1 2.7GHz to 3.1GHz, 500W GaN HEMT

MACOM CGHV31500F1 2.7GHz to 3.1GHz, 500W GaN HEMT offers high efficiency and high gain designed explicitly for the 2.7GHz to 3.1GHz S-Band radar band. The gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) delivers an extended pulse capability to meet emerging radar architecture trends.