Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

Wyniki: 49
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Technologia
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 240mohm GaN FET in DPAK
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
: 2 500

SMD/SMT TO-252-3L N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 312 mOhms 20 V 2.5 V 5.4 ns - 55 C + 150 C 31.2 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 300mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 5 000
Wielokr.: 5 000
: 5 000

700 V SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

700 V SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 312 mOhms 20 V 2.5 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 31.2 W Enhancement SuperGan GaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 5 000
Wielokr.: 5 000
: 5 000

700 V SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 5 000
Wielokr.: 5 000
: 5 000

700 V SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 480mohm GaN FET in DPAK
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
: 2 500

SMD/SMT TO-252-3L N-Channel 1 Channel 700 V 5 A 560 mOhms 20 V 2.5 V 5.2 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhanecement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 14.2 A 180 mOhms 20 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 312 mOhms 20 V 2 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 31.5 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 85mohm GaN FET in TOLL Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 2 000
Wielokr.: 2 000
: 2 000

650 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 16 A 180 mOhms 20 V 4.8 V 8 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 312 mOhms 12 V 2.5 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 31.2 W SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 300mohm GaN FET in TO220
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 312 mOhms 12 V 2.5 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 31.2 W SuperGaN GaN
Renesas Electronics TP65H065G4PLSGB-TR
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 65mohm GaN FET in 8x8 PQFN IP Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H070G4LSGBA-TR
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H030G4PYS
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TO247-4L Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 960
Wielokr.: 240

TO-247-4L 650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H050G4PQS-TR
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TOLL Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 2 000
Wielokr.: 2 000
: 2 000

650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H050G4PRS-TR
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TOLT Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 1 300
Wielokr.: 1 300
: 1 300

650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H050G4PWS
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TO247-3L Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 960
Wielokr.: 240

TO-247-3L 650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H050G4PYS
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 960
Wielokr.: 240

TO-247-4L 650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H065G4PLSG-TR
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 65mohm GaN FET in 8x8 PQFN PP Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H065G4PPS
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 65mohm GaN FET in TO-220 Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 1 250
Wielokr.: 1 250

650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H065G4PQS-TR
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 65mohm GaN FET in TOLL Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 2 000
Wielokr.: 2 000
: 2 000

650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H065G4PRS-TR
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 65mohm GaN FET in TOLT Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 1 300
Wielokr.: 1 300
: 1 300

650 V SuperGaN