Tranzystory GaN FET – Mouser Polska

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 49

Zastosowane filtry:

Styl mocowania

Opakowanie/obudowa

Polaryzacja tranzystora

Liczba kanałów

Vds – Napięcie przebicia dren–źródło

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Vgs – Napięcie bramka–źródło

Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło

Qg – ładunek bramki

Minimalna temperatura robocza

Maksymalna temperatura robocza

Pd – strata mocy

Tryb kanału

Nazwa handlowa

Technologia

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Obraz	Nr części	Produc.	Opis	Karta charakterystyki	Dostępność	Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.	Il.	Styl mocowania	Opakowanie/obudowa	Polaryzacja tranzystora	Liczba kanałów	Vds – Napięcie przebicia dren–źródło	Id – Ciągły prąd drenu	Rds On – rezystancja dren–źródło	Vgs – Napięcie bramka–źródło	Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło	Qg – ładunek bramki	Minimalna temperatura robocza	Maksymalna temperatura robocza	Pd – strata mocy	Tryb kanału	Nazwa handlowa	Technologia
GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP65H070G4LSGB-TR Renesas Electronics 1: 31,64 zł 2 446Na stanie magazynowym	Produc. Nr części TP65H070G4LSGB-TR Nr części Mouser 227-TP65H070G4LSGBTR	Renesas Electronics	GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN Dowiedz się więcej o Renesas Electronics transphorm tp65h150bg4jsg gan fet	Karta charakterystyki	2 446Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 31,64 zł 17,16 zł 15,75 zł 15,40 zł 14,12 zł Opakowanie zbiorcze 13,11 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 3 000	SMD/SMT	PQFN-8	N-Channel	1 Channel	650 V	29 A	85 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.6 V	8.4 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FETs 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN TP65H480G4JSG-TR Renesas Electronics 1: 8,23 zł 1 475Na stanie magazynowym	Produc. Nr części TP65H480G4JSG-TR Nr części Mouser 227-TP65H480G4JSG-TR	Renesas Electronics	GaN FETs 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN Dowiedz się więcej o Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets	Karta charakterystyki	1 475Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 8,23 zł 3,97 zł 3,35 zł 2,81 zł Opakowanie zbiorcze 2,23 zł Przeglądaj 2,80 zł 2,65 zł 2,12 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 4 000	SMD/SMT	PQFN-3	N-Channel	1 Channel	650 V	3.6 A	560 mOhms	- 18 V, + 18 V	2.8 V	9 nC	- 55 C	+ 150 C	13.2 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLT TP65H030G4PRS-TR Renesas Electronics 1: 40,30 zł 1 109Na stanie magazynowym 2 600Oczekiwane: 26.04.2027 Nowe produkty	Produc. Nr części TP65H030G4PRS-TR Nr części Mouser 227-TP65H030G4PRS-TR Nowe produkty	Renesas Electronics	GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLT Dowiedz się więcej o Renesas Electronics renesas tp65h030g4px gan fets	Karta charakterystyki	1 109Na stanie magazynowym 2 600Oczekiwane: 26.04.2027	Odcinek taśmy 40,30 zł 22,35 zł 21,21 zł Opakowanie zbiorcze 18,48 zł 18,04 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 1 300	SMD/SMT	TOLT-16	N-Channel	1 Channel	650 V	55.7 A	41 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	24.5 nC	- 55 C	+ 150 C	192 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L TP65H030G4PWS Renesas Electronics 1: 42,06 zł 1 036Na stanie magazynowym Nowe produkty	Produc. Nr części TP65H030G4PWS Nr części Mouser 227-TP65H030G4PWS Nowe produkty	Renesas Electronics	GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L Dowiedz się więcej o Renesas Electronics renesas tp65h030g4px gan fets	Karta charakterystyki	1 036Na stanie magazynowym	42,06 zł 23,41 zł 21,69 zł 18,83 zł 18,52 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	55.7 A	41 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	24.5 nC	- 55 C	+ 150 C	192 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLL TP65H030G4PQS-TR Renesas Electronics 1: 40,08 zł 209Na stanie magazynowym Nowe produkty	Produc. Nr części TP65H030G4PQS-TR Nr części Mouser 227-TP65H030G4PQS-TR Nowe produkty	Renesas Electronics	GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLL Dowiedz się więcej o Renesas Electronics renesas tp65h030g4px gan fets	Karta charakterystyki	209Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 40,08 zł 26,66 zł 23,63 zł 20,72 zł 18,52 zł Opakowanie zbiorcze 17,86 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 2 000	SMD/SMT	TOLL-10	N-Channel	1 Channel	650 V	55.7 A	41 mOhms		4.8 V	24.5 nC	- 55C	+ 150 C	192 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L TP65H050G4YS Renesas Electronics 1: 39,56 zł 529Na stanie magazynowym	Produc. Nr części TP65H050G4YS Nr części Mouser 227-TP65H050G4YS	Renesas Electronics	GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L Dowiedz się więcej o Renesas Electronics transphorm tp65h050g4ys supergan fet	Karta charakterystyki	529Na stanie magazynowym	39,56 zł 23,36 zł 19,84 zł 17,56 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	650 V	35 A	60 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	16 nC	- 55 C	+ 150 C	132 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TO220 TP65H070G4PS Renesas Electronics 1: 31,11 zł 653Na stanie magazynowym	Produc. Nr części TP65H070G4PS Nr części Mouser 227-TP65H070G4PS	Renesas Electronics	GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TO220 Dowiedz się więcej o Renesas Electronics transphorm tp65h070g4ps gan fet	Karta charakterystyki	653Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 31,11 zł 17,29 zł 15,84 zł 13,38 zł Opakowanie zbiorcze 13,38 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 1 000	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	29 A	85 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.7 V	9 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TOLT TP65H070G4RS-TR Renesas Electronics 1: 32,30 zł 1 608Na stanie magazynowym	Produc. Nr części TP65H070G4RS-TR Nr części Mouser 227-TP65H070G4RS-TR	Renesas Electronics	GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TOLT Dowiedz się więcej o Renesas Electronics transphorm tp65H070g4rs supergan tolt fet	Karta charakterystyki	1 608Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 32,30 zł 17,51 zł 16,10 zł 15,80 zł Opakowanie zbiorcze 13,46 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 1 300	SMD/SMT	TOLT-16	N-Channel	1 Channel	650 V	29 A	85 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	9 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in TO220 TP65H100G4PS Renesas Electronics 1: 25,04 zł 714Na stanie magazynowym Nowości w Mouser	Produc. Nr części TP65H100G4PS Nr części Mouser 227-TP65H100G4PS Nowości w Mouser	Renesas Electronics	GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in TO220	Karta charakterystyki	714Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 25,04 zł 13,29 zł 12,14 zł 10,16 zł Opakowanie zbiorcze 10,12 zł Przeglądaj 9,99 zł 9,59 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 1 000	Through Hole	TO-220-3	N-Channel		650 V	18.9 A	110 mOhms	- 20 V, + 20 V	3.65 V	14.4 nC	- 55 C	+ 150 C	65.8 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FETs 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN TP65H480G4JSGB-TR Renesas Electronics 1: 8,23 zł 3 744Na stanie magazynowym	Produc. Nr części TP65H480G4JSGB-TR Nr części Mouser 227-TP65H480G4JSGBTR	Renesas Electronics	GaN FETs 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN Dowiedz się więcej o Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets	Karta charakterystyki	3 744Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 8,23 zł 3,97 zł 3,56 zł 2,82 zł Opakowanie zbiorcze 2,23 zł Przeglądaj 2,71 zł 2,62 zł 2,12 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 4 000	SMD/SMT	QFN-7	N-Channel	1 Channel	650 V	3.6 A	560 mOhms	- 10 V, + 10 V	2.8 V	5 nC	- 55 C	+ 150 C	13.2 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP65H070G4LSG-TR Renesas Electronics 1: 32,21 zł 2 585Na stanie magazynowym	Produc. Nr części TP65H070G4LSG-TR Nr części Mouser 227-TP65H070G4LSG-TR	Renesas Electronics	GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN Dowiedz się więcej o Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets	Karta charakterystyki	2 585Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 32,21 zł 17,47 zł 16,10 zł 15,80 zł 14,48 zł Opakowanie zbiorcze 13,38 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 3 000	SMD/SMT	PQFN-3	N-Channel	1 Channel	650 V	29 A	85 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	8.4 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FETs 650V, 150mohm GaN FET in TO220 TP65H150G4PS Renesas Electronics 1: 20,46 zł 1 751Na stanie magazynowym	Produc. Nr części TP65H150G4PS Nr części Mouser 227-TP65H150G4PS	Renesas Electronics	GaN FETs 650V, 150mohm GaN FET in TO220 Dowiedz się więcej o Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets	Karta charakterystyki	1 751Na stanie magazynowym	20,46 zł 11,09 zł 9,86 zł 8,23 zł Przeglądaj 8,05 zł 7,61 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	13 A	180 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	8 nC	- 55 C	+ 150 C	52 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FETs 650V, 110mohm GaN BDS in TOLT TP65B110HRU-TR Renesas Electronics 1: 30,18 zł 1 192Oczekiwane: 03.11.2026 Nowe produkty	Produc. Nr części TP65B110HRU-TR Nr części Mouser 227-TP65B110HRU-TR Nowe produkty	Renesas Electronics	GaN FETs 650V, 110mohm GaN BDS in TOLT Dowiedz się więcej o Renesas Electronics renesas tp65b110hru bi directional switch	Karta charakterystyki	1 192Oczekiwane: 03.11.2026	Odcinek taśmy 30,18 zł 20,46 zł 14,96 zł 14,48 zł 13,46 zł Opakowanie zbiorcze 12,32 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 1 500															SuperGaN
GaN FETs 700V, 135mohm GaN FET in 5x6 PQFN IP TP70H135G4PJSGB-TR Renesas Electronics 5 000: 4,44 zł Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni Nowe produkty	Produc. Nr części TP70H135G4PJSGB-TR Nr części Mouser 227-P70H135G4PJSGBTR Nowe produkty	Renesas Electronics	GaN FETs 700V, 135mohm GaN FET in 5x6 PQFN IP	Karta charakterystyki	Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni	Opakowanie zbiorcze 4,44 zł	Min.: 5 000 Wielokr.: 5 000 : 5 000	SMD/SMT	PQFN-8	N-Channel	1 Channel	700 V	15.8 A	169 mOhms	20 V	2.5 V	5.9 nC	- 55 C	+ 150 C	69.4 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FETs 700V, 135mohm GaN FET in 8x8 PQFN IP TP70H135G4PLSGB-TR Renesas Electronics 3 000: 4,71 zł Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni Nowe produkty	Produc. Nr części TP70H135G4PLSGB-TR Nr części Mouser 227-P70H135G4PLSGBTR Nowe produkty	Renesas Electronics	GaN FETs 700V, 135mohm GaN FET in 8x8 PQFN IP	Karta charakterystyki	Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni	Opakowanie zbiorcze 4,71 zł	Min.: 3 000 Wielokr.: 3 000 : 3 000	SMD/SMT	PQFN-8	N-Channel	1 Channel	700 V	14.6 A	169 mOhms	20 V	2.5 V	5.9 nC	- 55 C	+ 150 C	59.5 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FETs 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L TP65H035G4YS Renesas Electronics 1 200: 20,77 zł Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni	Produc. Nr części TP65H035G4YS Nr części Mouser 227-TP65H035G4YS	Renesas Electronics	GaN FETs 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L Dowiedz się więcej o Renesas Electronics transphorm tp65h035g4ys supergan fet	Karta charakterystyki	Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni	20,77 zł	Min.: 1 200 Wielokr.: 600	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	650 V	46.5 A	41 mOhms	- 20 V, + 20 V	3.6 V	42.7 nC	- 55 C	+ 150 C	156 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TOLL TP65H050G4QS-TR Renesas Electronics 2 000: 16,63 zł Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni	Produc. Nr części TP65H050G4QS-TR Nr części Mouser 227-TP65H050G4QS-TR	Renesas Electronics	GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TOLL Dowiedz się więcej o Renesas Electronics transphorm tp65h035g4ys supergan fet	Karta charakterystyki	Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni	Opakowanie zbiorcze 16,63 zł	Min.: 2 000 Wielokr.: 2 000 : 2 000	SMD/SMT	TOLL-8	N-Channel	1 Channel	650 V	34 A	60 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	16 nC	- 55 C	+ 150 C	119 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP65H070G4LSGBEA-TR Renesas Electronics 3 000: 12,14 zł Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni Nowe produkty	Produc. Nr części TP65H070G4LSGBEA-TR Nr części Mouser 227-TP65H070G4LSGBEA Nowe produkty	Renesas Electronics	GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN	Karta charakterystyki	Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni	Opakowanie zbiorcze 12,14 zł	Min.: 3 000 Wielokr.: 3 000 : 3 000		PQFN-8			650 V										SuperGaN
GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP65H070G4LSGEA-TR Renesas Electronics 3 000: 12,01 zł Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni Nowe produkty	Produc. Nr części TP65H070G4LSGEA-TR Nr części Mouser 227-TP65H070G4LSGEAT Nowe produkty	Renesas Electronics	GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN	Karta charakterystyki	Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni	Opakowanie zbiorcze 12,01 zł	Min.: 3 000 Wielokr.: 3 000 : 3 000		PQFN-8			650 V										SuperGaN
GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TOLL TP65H070G4QS-TR Renesas Electronics 2 000: 11,79 zł Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni	Produc. Nr części TP65H070G4QS-TR Nr części Mouser 227-TP65H070G4QS-TR	Renesas Electronics	GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TOLL Dowiedz się więcej o Renesas Electronics transphorm tp65h035g4ys supergan fet	Karta charakterystyki	Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni	Opakowanie zbiorcze 11,79 zł	Min.: 2 000 Wielokr.: 2 000 : 2 000	SMD/SMT	TOLL-8	N-Channel	1 Channel	650 V	29 A	60 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	8.4 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP65H100G4LSGB-TR Renesas Electronics 3 000: 8,18 zł Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni	Produc. Nr części TP65H100G4LSGB-TR Nr części Mouser 227-TP65H100G4LSGBTR	Renesas Electronics	GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN	Karta charakterystyki	Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni	Opakowanie zbiorcze 8,18 zł	Min.: 3 000 Wielokr.: 3 000 : 3 000	SMD/SMT	PQFN-8	N-Channel	1 Channel	650 V	18.9 A	110 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.1 V	14.4 nC	- 55 C	+ 150 C		Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FETs 700V, 130mohm GaN FET in 8x8 PQFN PP TP70H130G4PLSG-TR Renesas Electronics 3 000: 4,71 zł Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni Nowe produkty	Produc. Nr części TP70H130G4PLSG-TR Nr części Mouser 227-TP70H130G4PLSGTR Nowe produkty	Renesas Electronics	GaN FETs 700V, 130mohm GaN FET in 8x8 PQFN PP	Karta charakterystyki	Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni	Opakowanie zbiorcze 4,71 zł	Min.: 3 000 Wielokr.: 3 000 : 3 000	SMD/SMT	PQFN-3	N-Channel	1 Channel	700 V	16 A	163 mOhms	20 V	4.8 V	10.7 nC	- 55 C	+ 150 C	69.4 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FETs 700V, 130mohm GaN FET in TO-220 TP70H130G4PPS Renesas Electronics 1: 15,27 zł Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni Nowe produkty	Produc. Nr części TP70H130G4PPS Nr części Mouser 227-TP70H130G4PPS Nowe produkty	Renesas Electronics	GaN FETs 700V, 130mohm GaN FET in TO-220	Karta charakterystyki	Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni	15,27 zł 7,74 zł 7,04 zł 5,76 zł Przeglądaj 5,59 zł 5,46 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	700 V	16 A	163 mOhms	20 V	4.8 V	10.7 nC	- 55 C	+ 150 C	69.4 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP70H150G4LSG-TR Renesas Electronics 3 000: 5,06 zł Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni	Produc. Nr części TP70H150G4LSG-TR Nr części Mouser 227-TP70H150G4LSG-TR	Renesas Electronics	GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN Dowiedz się więcej o Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets	Karta charakterystyki	Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni	Opakowanie zbiorcze 5,06 zł	Min.: 3 000 Wielokr.: 3 000 : 3 000					700 V										SuperGaN	GaN
GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP70H150G4LSGB-TR Renesas Electronics 3 000: 4,93 zł Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni	Produc. Nr części TP70H150G4LSGB-TR Nr części Mouser 227-TP70H150G4LSGBTR	Renesas Electronics	GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN Dowiedz się więcej o Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets	Karta charakterystyki	Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni	Opakowanie zbiorcze 4,93 zł	Min.: 3 000 Wielokr.: 3 000 : 3 000					700 V										SuperGaN	GaN

Gen IV SuperGaN® FETs

Zastosowane filtry:

Biuro Obsługi Klienta

Firma

Zasoby

Wsparcie

Udostępnij to

Gen IV SuperGaN® FETs

Zastosowane filtry: