Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices

onsemi Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. The EliteSiC portfolio includes 650V, 1200V, and 1700V diodes, 650V and 1200V IGBT and SiC diode Power Integrated Modules (PIMs), 1200V MOSFETs and SiC MOSFET drivers, and AEC-Q100 qualified devices.

Wyniki: 52
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS

onsemi SiC Schottky Diodes 1200V 10A AUTO SIC SBD
Karta charakterystyki
3 484Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

onsemi Gate Drivers SIC MOSFET DRIVER
Karta charakterystyki
11 603Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000


onsemi SiC Schottky Diodes 1200V SiC SBD 40A
Karta charakterystyki
125Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

onsemi SiC Schottky Diodes 650V 10A SIC SBD G EN1.5
Karta charakterystyki
1 443Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 800


onsemi SiC Schottky Diodes 1200V 20A AUTO SIC SBD
Karta charakterystyki
311Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1


onsemi SiC Schottky Diodes 1200V 20A AUTO SIC SBD
Karta charakterystyki
348Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

onsemi SiC Schottky Diodes 650V 6A SIC SBD
Karta charakterystyki
3 133Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

onsemi SiC Schottky Diodes 650V 12A SIC SBD
Karta charakterystyki
804Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

onsemi SiC Schottky Diodes 1200V SiC SBD 20A
Karta charakterystyki
205Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

onsemi SiC Schottky Diodes Auto SiC Schottky Diode, 650 V
Karta charakterystyki
480Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1


onsemi SiC Schottky Diodes 650V 10A SIC SBD GEN1.5
Karta charakterystyki
2 121Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

onsemi SiC Schottky Diodes SIC TO263 SBD 10A 1 200V
Karta charakterystyki
3 633Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 800

onsemi SiC Schottky Diodes 650V 10A SIC SBD
Karta charakterystyki
2 597Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

onsemi SiC Schottky Diodes SIC TO220 SBD 8A 650V
Karta charakterystyki
1 316Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

onsemi SiC Schottky Diodes 1200V 20A AUTO SIC SBD
Karta charakterystyki
1 062Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 800


onsemi SiC Schottky Diodes 1200V 10A SIC SBD
Karta charakterystyki
383Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1


onsemi SiC Schottky Diodes 650V 30A SIC SBD
Karta charakterystyki
620Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

onsemi SiC Schottky Diodes Auto SiC Schottky Diode, 650 V
Karta charakterystyki
706Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

onsemi SiC Schottky Diodes SIC TO263 SBD 20A 1 200V
Karta charakterystyki
1 135Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 800

onsemi SiC Schottky Diodes SiC Diode 650V 4A
Karta charakterystyki
2 602Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000


onsemi SiC Schottky Diodes 650V 30A SIC SBD
Karta charakterystyki
867Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

onsemi SiC Schottky Diodes SIC TO220 SBD 10A 650V
Karta charakterystyki
757Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1


onsemi SiC MOSFETs SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A
Karta charakterystyki
1 182Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1


onsemi SiC Schottky Diodes 650V 10A SIC SBD G EN1.5
Karta charakterystyki
937Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

onsemi SiC Schottky Diodes 1200V SiC SBD 15A
Karta charakterystyki
175Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1