Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

QPD1029L

Name: Qorvo QPD1029L
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1029L
Price: 7778.44 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

772-QPD1029L

Nr prod.:

QPD1029L

Produc.:

Qorvo

Opis:

GaN FETs 1.2-1.4GHz,1500W,65V,GaN RF I/P-Mtchd Tr

Karta charakterystyki:

QPD1029L Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Qorvo QPD1029L

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 20 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

Wpisz ilość:

Minimum: 18 Wielokrotności: 18

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	7 778,44 zł	140 011,92 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Qorvo
Kategoria produktów:	Tranzystory GaN FET
RoHS:
Marka:	Qorvo
Maksymalna częstotliwość robocza:	1.4 GHz
Minimalna częstotliwość robocza:	1.2 GHz
Wrażliwość na wilgoć:	Yes
Moc wyjściowa:	1.5 kW
Opakowanie:	Waffle
Rodzaj produktu:	GaN FETs
Seria:	QPD1029L
Wielkość opakowania producenta:	18
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	GaN
Rodzaj tranzystora:	HEMT

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

QPD1029L Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

USHTS:: 8541497080
ECCN:: EAR99

QPD1029L GaN RF IMFET Transistor

Qorvo QPD1029L GaN RF Internally Matched FET (IMFET) Transistor is a 1500W (P_3dB) discrete GaN on SiC High Electron Mobility Transistor (HEMT). This RF IMFET operates between a 1.2GHz to 1.4GHz frequency range. The QPD1029L transistor provides ease of external board match and saves board space. This Qorvo transistor is a RoHS-compliant device. The QPD1029L IMFET transistor device is used in an industry-standard air cavity package and is ideally suited for radar.