Wyniki: 4
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Konfiguracja
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Vgs – Napięcie przebicia bramka–źródło
Prąd dren–źródło przy Vgs=0
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Pd – strata mocy
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Opakowanie
onsemi JFETs 750V/6MOCOMBO-FETG4TO2
Karta charakterystyki
165Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 6 uA 120 A 5.3 mOhms 714 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi JFETs UG4SC075005L8S
Karta charakterystyki
1 122Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

SiC SMD/SMT MO-229-8 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 6 uA 120 A 5 mOhms 1.153 kW - 55 C + 175 C UG4S Reel, Cut Tape
onsemi JFETs 750V/9MOCOMBO-FETG4TO2
Karta charakterystyki
555Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 4 uA 106 A 8.4 mOhms 375 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi JFETs 750V/11MOCOMBO-FETG4TO
Karta charakterystyki
558Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 3.5 uA 104 A 10 mOhms 357 W - 55 C + 175 C UG4S Tube