UG4SC075005L8S

Name: onsemi UG4SC075005L8S
Brand: onsemi
SKU: 772-UG4SC075005L8S
Price: 188.45 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

772-UG4SC075005L8S

Nr prod.:

UG4SC075005L8S

Produc.:

onsemi

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Stany magazynowe:: 1 122 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 25 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	188,45 zł	188,45 zł
	163,25 zł	1 632,50 zł
	157,71 zł	15 771,00 zł
	157,63 zł	78 815,00 zł
	157,54 zł	157 540,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2000)
	141,04 zł	282 080,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Tranzystory JFET
RoHS:
Technologia:	SiC
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	MO-229-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Konfiguracja:	Single
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	750 V
Vgs – Napięcie przebicia bramka–źródło:	- 30 V to 30 V
Prąd dren–źródło przy Vgs=0:	6 uA
Id – Ciągły prąd drenu:	120 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	5 mOhms
Pd – strata mocy:	1.153 kW
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Seria:	UG4S
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Kraj montażu:	CN
Kraj wytworzenia:	US
Kraj pochodzenia:	CN
Rodzaj produktu:	JFETs
Wielkość opakowania producenta:	2000
Podkategoria:	Transistors