SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
IMBG120R060M1HXTMA1
Infineon Technologies
1:
33,98 zł
329 Na stanie magazynowym
Nr części Mouser
726-IMBG120R060M1HXT
Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
329 Na stanie magazynowym
1
33,98 zł
10
25,83 zł
100
21,59 zł
500
19,24 zł
1 000
18,19 zł
Kup
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula :
1 000
Szczegóły
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
36 A
83 mOhms
- 7 V, + 20 V
5.1 V
34 nC
- 55 C
+ 175 C
181 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
IMBG120R045M1HXTMA1
Infineon Technologies
1:
52,04 zł
641 Na stanie magazynowym
Nr części Mouser
726-IMBG120R045M1HXT
Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
641 Na stanie magazynowym
1
52,04 zł
10
36,25 zł
100
30,45 zł
500
27,59 zł
1 000
26,12 zł
Kup
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula :
1 000
Szczegóły
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
47 A
45 mOhms
- 7 V, + 20 V
5.1 V
46 nC
- 55 C
+ 175 C
227 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
IMZ120R140M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
25,75 zł
369 Na stanie magazynowym
Nr części Mouser
726-IMZ120R140M1HXKS
Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
369 Na stanie magazynowym
1
25,75 zł
10
17,68 zł
100
15,37 zł
480
15,33 zł
1 200
13,65 zł
Kup
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szczegóły
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
19 A
182 mOhms
- 7 V, + 23 V
5.7 V
13 nC
- 55 C
+ 150 C
94 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
IMZA65R107M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
29,90 zł
437 Na stanie magazynowym
Wycofane z eksploatacji
Nr części Mouser
726-IMZA65R107M1HXKS
Wycofane z eksploatacji
Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
437 Na stanie magazynowym
1
29,90 zł
10
19,99 zł
100
16,09 zł
480
14,32 zł
1 200
12,68 zł
Kup
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szczegóły
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
20 A
142 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
15 nC
- 55 C
+ 150 C
75 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
IMW120R140M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
25,45 zł
365 Na stanie magazynowym
Nr części Mouser
726-IMW120R140M1HXKS
Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
365 Na stanie magazynowym
1
25,45 zł
10
17,30 zł
100
14,32 zł
480
13,69 zł
1 200
13,27 zł
Kup
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szczegóły
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
19 A
182 mOhms
- 7 V, + 23 V
3.5 V
13 nC
- 55 C
+ 175 C
94 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
IMW65R072M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
31,71 zł
434 Na stanie magazynowym
NRND
Nr części Mouser
726-IMW65R072M1HXKSA
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
434 Na stanie magazynowym
1
31,71 zł
10
20,92 zł
100
16,88 zł
480
14,53 zł
1 200
14,07 zł
Kup
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szczegóły
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
26 A
94 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
22 nC
- 55 C
+ 150 C
96 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
IMBF170R450M1XTMA1
Infineon Technologies
1:
30,62 zł
1 162 Na stanie magazynowym
6 000 Oczekiwane: 20.08.2026
Nr części Mouser
726-IMBF170R450M1XTM
Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
1 162 Na stanie magazynowym
6 000 Oczekiwane: 20.08.2026
1
30,62 zł
10
20,66 zł
100
15,50 zł
500
14,11 zł
1 000
11,38 zł
Kup
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula :
1 000
Szczegóły
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
1.7 kV
9.8 A
450 mOhms
- 10 V, + 20 V
4.5 V
11 nC
- 55 C
+ 175 C
107 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
IMBF170R650M1XTMA1
Infineon Technologies
1:
23,02 zł
889 Na stanie magazynowym
Nr części Mouser
726-IMBF170R650M1XTM
Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
889 Na stanie magazynowym
1
23,02 zł
10
14,45 zł
100
11,09 zł
500
9,95 zł
1 000
9,16 zł
Kup
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula :
1 000
Szczegóły
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
1.7 kV
7.4 A
650 mOhms
- 10 V, + 20 V
4.5 V
8 nC
- 55 C
+ 175 C
88 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
IMBG120R030M1HXTMA1
Infineon Technologies
1:
66,95 zł
525 Na stanie magazynowym
1 000 Dostępna ilość z otwartych zamówień
Nr części Mouser
726-IMBG120R030M1HXT
Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
525 Na stanie magazynowym
1 000 Dostępna ilość z otwartych zamówień
1
66,95 zł
10
50,95 zł
100
42,46 zł
500
37,84 zł
1 000
35,36 zł
Kup
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula :
1 000
Szczegóły
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
56 A
41 mOhms
- 7 V, + 20 V
5.1 V
63 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
IMBG120R090M1HXTMA1
Infineon Technologies
1:
33,10 zł
859 Na stanie magazynowym
Nr części Mouser
726-IMBG120R090M1HXT
Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
859 Na stanie magazynowym
1
33,10 zł
10
22,60 zł
100
18,65 zł
500
16,63 zł
1 000
15,54 zł
Kup
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula :
1 000
Szczegóły
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
26 A
125 mOhms
- 7 V, + 20 V
5.1 V
23 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
IMBG120R140M1HXTMA1
Infineon Technologies
1:
29,23 zł
1 860 Na stanie magazynowym
2 000 Oczekiwane: 23.07.2026
Nr części Mouser
726-IMBG120R140M1HXT
Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
1 860 Na stanie magazynowym
2 000 Oczekiwane: 23.07.2026
1
29,23 zł
10
20,54 zł
100
16,63 zł
500
14,78 zł
1 000
13,10 zł
Kup
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula :
1 000
Szczegóły
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
18 A
189 mOhms
- 7 V, + 20 V
5.1 V
13.4 nC
- 55 C
+ 175 C
107 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
IMBG120R350M1HXTMA1
Infineon Technologies
1:
24,19 zł
1 208 Na stanie magazynowym
1 000 Oczekiwane: 27.08.2026
Nr części Mouser
726-IMBG120R350M1HXT
Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
1 208 Na stanie magazynowym
1 000 Oczekiwane: 27.08.2026
1
24,19 zł
10
15,88 zł
100
11,68 zł
500
10,37 zł
1 000
9,20 zł
Kup
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula :
1 000
Szczegóły
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
4.7 A
468 mOhms
- 7 V, + 20 V
5.1 V
5.9 nC
- 55 C
+ 175 C
65 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
IMW120R220M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
26,17 zł
1 784 Na stanie magazynowym
3 120 Dostępna ilość z otwartych zamówień
Nr części Mouser
726-IMW120R220M1HXKS
Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
1 784 Na stanie magazynowym
3 120 Dostępna ilość z otwartych zamówień
Wyświetl daty
Stany magazynowe:
1 784 Wysylamy natychmiast
Dostępna ilość z otwartych zamówień:
960 Oczekiwane: 13.08.2026
2 160 Oczekiwane: 10.06.2027
Średni czas produkcji:
45 tygodni
1
26,17 zł
10
17,47 zł
100
14,07 zł
480
12,52 zł
1 200
11,05 zł
Kup
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szczegóły
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
13 A
289 mOhms
- 7 V, + 23 V
5.7 V
8.5 nC
- 55 C
+ 150 C
75 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
IMW120R350M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
22,97 zł
597 Na stanie magazynowym
240 Oczekiwane: 16.07.2026
Nr części Mouser
726-IMW120R350M1HXKS
Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
597 Na stanie magazynowym
240 Oczekiwane: 16.07.2026
1
22,97 zł
10
13,02 zł
100
10,88 zł
480
9,66 zł
Kup
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szczegóły
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
4.7 A
455 mOhms
- 7 V, + 23 V
5.7 V
5.3 nC
- 55 C
+ 150 C
60 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
IMW65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
58,59 zł
1 224 Na stanie magazynowym
NRND
Nr części Mouser
726-IMW65R027M1HXKSA
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
1 224 Na stanie magazynowym
1
58,59 zł
10
44,65 zł
100
37,21 zł
480
33,14 zł
1 200
31,33 zł
Kup
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szczegóły
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
47 A
34 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
62 nC
- 55 C
+ 150 C
189 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
IMW65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
41,96 zł
444 Na stanie magazynowym
NRND
Nr części Mouser
726-IMW65R048M1HXKSA
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
444 Na stanie magazynowym
1
41,96 zł
10
26,88 zł
100
21,55 zł
480
19,78 zł
1 200
17,81 zł
Kup
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szczegóły
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
39 A
64 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
33 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
IMW120R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
72,11 zł
480 Dostępna ilość z otwartych zamówień
Nr części Mouser
726-IMW120R030M1HXKS
Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
480 Dostępna ilość z otwartych zamówień
1
72,11 zł
10
45,99 zł
100
39,61 zł
480
37,00 zł
Kup
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szczegóły
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
56 A
40 mOhms
- 7 V, + 23 V
5.7 V
63 nC
- 55 C
+ 150 C
227 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
IMZ120R060M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
40,91 zł
26 Na stanie magazynowym
960 Dostępna ilość z otwartych zamówień
Nr części Mouser
726-IMZ120R060M1HXKS
Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
26 Na stanie magazynowym
960 Dostępna ilość z otwartych zamówień
Wyświetl daty
Dostępna ilość z otwartych zamówień:
480 Oczekiwane: 17.09.2026
480 Oczekiwane: 24.09.2026
Średni czas produkcji:
53 tygodni
1
40,91 zł
10
27,47 zł
100
21,76 zł
480
20,62 zł
Kup
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szczegóły
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
36 A
78 mOhms
- 7 V, + 23 V
5.7 V
31 nC
- 55 C
+ 150 C
150 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
IMZ120R220M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
29,36 zł
43 Na stanie magazynowym
1 920 Oczekiwane: 01.04.2027
Nr części Mouser
726-IMZ120R220M1HXKS
Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
43 Na stanie magazynowym
1 920 Oczekiwane: 01.04.2027
1
29,36 zł
10
19,03 zł
100
14,62 zł
480
12,77 zł
1 200
12,39 zł
Kup
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szczegóły
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
13 A
220 mOhms
- 7 V, + 23 V
5.7 V
8.5 nC
- 55 C
+ 150 C
75 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package
IMZ120R350M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
25,37 zł
317 Na stanie magazynowym
Nr części Mouser
726-IMZ120R350M1HXKS
Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package
317 Na stanie magazynowym
1
25,37 zł
10
16,97 zł
100
13,61 zł
480
12,10 zł
1 200
10,71 zł
Kup
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szczegóły
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
4.7 A
350 mOhms
- 7 V, + 23 V
5.7 V
5.3 nC
- 55 C
+ 150 C
60 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
IMZA65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
60,35 zł
91 Na stanie magazynowym
1 200 Oczekiwane: 30.07.2026
NRND
Nr części Mouser
726-IMZA65R027M1HXKS
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
91 Na stanie magazynowym
1 200 Oczekiwane: 30.07.2026
1
60,35 zł
10
45,99 zł
100
38,30 zł
480
34,10 zł
1 200
32,30 zł
Kup
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szczegóły
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
59 A
34 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
63 nC
- 55 C
+ 150 C
189 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
IMZA65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
40,19 zł
27 Na stanie magazynowym
240 Dostępna ilość z otwartych zamówień
NRND
Nr części Mouser
726-IMZA65R048M1HXKS
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
27 Na stanie magazynowym
240 Dostępna ilość z otwartych zamówień
1
40,19 zł
10
28,43 zł
100
23,69 zł
480
21,04 zł
1 200
19,99 zł
Kup
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szczegóły
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
39 A
64 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
33 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
IMBF170R1K0M1XTMA1
Infineon Technologies
1:
21,80 zł
10 930 Oczekiwane: 26.08.2026
Nr części Mouser
726-IMBF170R1K0M1XTM
Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
10 930 Oczekiwane: 26.08.2026
1
21,80 zł
10
14,32 zł
100
10,50 zł
500
9,37 zł
1 000
8,32 zł
Kup
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula :
1 000
Szczegóły
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
1.7 kV
5.2 A
1 Ohms
- 10 V, + 20 V
4.5 V
5 nC
- 55 C
+ 175 C
68 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
IMZ120R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
66,53 zł
2 160 Dostępna ilość z otwartych zamówień
Nr części Mouser
726-IMZ120R030M1HXKS
Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
2 160 Dostępna ilość z otwartych zamówień
Wyświetl daty
Dostępna ilość z otwartych zamówień:
720 Oczekiwane: 20.08.2026
Średni czas produkcji:
45 tygodni
1
66,53 zł
10
43,97 zł
100
38,01 zł
480
36,96 zł
Kup
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szczegóły
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
56 A
40 mOhms
- 7 V, + 23 V
5.7 V
63 nC
- 55 C
+ 150 C
227 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
IMBG120R220M1HXTMA1
Infineon Technologies
1:
25,66 zł
2 512 Dostępna ilość z otwartych zamówień
Nr części Mouser
726-IMBG120R220M1HXT
Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
2 512 Dostępna ilość z otwartych zamówień
Wyświetl daty
Dostępna ilość z otwartych zamówień:
512 Oczekiwane: 20.07.2026
2 000 Oczekiwane: 21.07.2026
Średni czas produkcji:
45 tygodni
1
25,66 zł
10
17,18 zł
100
13,82 zł
500
12,26 zł
1 000
10,88 zł
Kup
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula :
1 000
Szczegóły
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
13 A
294 mOhms
- 7 V, + 20 V
5.1 V
9.4 nC
- 55 C
+ 175 C
83 W
Enhancement
CoolSiC