Moduły MOSFET SIC – Mouser Polska

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

CoolSiC™ MOSFETs

Infineon CoolSiC™ MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. The discrete CoolSiC portfolio in TO- and SMD-housings comes in 650V, 1200V, and 1700V voltage classes, with on-resistance ratings from 27mΩ up to 1000mΩ. CoolSiC trench technology enables a flexible parameter set, which is used to implement application-specific features in respective product portfolios. These features include gate-source voltages, avalanche specification, short-circuit capability, or internal body diode rated for hard commutation.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 30

Zastosowane filtry:

Styl mocowania

Opakowanie/obudowa

Vds – Napięcie przebicia dren–źródło

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Vgs – Napięcie bramka–źródło

Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło

Qg – ładunek bramki

Maksymalna temperatura robocza

Pd – strata mocy

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Nr części

SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R060M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: 35,70 zł
329Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
IMBG120R060M1HXTMA1

Nr części Mouser
726-IMBG120R060M1HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Karta charakterystyki

329Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

35,70 zł

23,69 zł

19,24 zł

Opakowanie zbiorcze

17,93 zł

Dostępność opcji MouseReel

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

83 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

181 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R045M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: 46,54 zł
641Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
IMBG120R045M1HXTMA1

Nr części Mouser
726-IMBG120R045M1HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

641Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

46,54 zł

32,89 zł

28,52 zł

27,55 zł

Opakowanie zbiorcze

25,75 zł

Dostępność opcji MouseReel

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

47 A

45 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package

IMZ120R350M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 21,46 zł
400Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
IMZ120R350M1HXKSA1

Nr części Mouser
726-IMZ120R350M1HXKS

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

400Na stanie magazynowym

21,46 zł

13,57 zł

11,17 zł

10,75 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

4.7 A

350 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

5.3 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R107M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 21,04 zł
437Na stanie magazynowym
Wycofane z eksploatacji

Produc. Nr części
IMZA65R107M1HXKSA1

Nr części Mouser
726-IMZA65R107M1HXKS

Wycofane z eksploatacji

Infineon Technologies

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

Karta charakterystyki

437Na stanie magazynowym

21,04 zł

14,11 zł

12,05 zł

12,01 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

142 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R072M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 28,77 zł
434Na stanie magazynowym
NRND

Produc. Nr części
IMW65R072M1HXKSA1

Nr części Mouser
726-IMW65R072M1HXKSA

NRND

Infineon Technologies

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

434Na stanie magazynowym

28,77 zł

17,22 zł

14,49 zł

13,44 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

26 A

94 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBF170R450M1XTMA1
Infineon Technologies
1: 26,21 zł
3 715Na stanie magazynowym
3 000Dostępna ilość z otwartych zamówień

Produc. Nr części
IMBF170R450M1XTMA1

Nr części Mouser
726-IMBF170R450M1XTM

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

3 715Na stanie magazynowym

3 000Dostępna ilość z otwartych zamówień

Odcinek taśmy

26,21 zł

17,68 zł

12,85 zł

12,18 zł

Opakowanie zbiorcze

11,38 zł

Dostępność opcji MouseReel

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

9.8 A

450 mOhms

- 10 V, + 20 V

4.5 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBF170R650M1XTMA1
Infineon Technologies
1: 22,09 zł
1 944Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
IMBF170R650M1XTMA1

Nr części Mouser
726-IMBF170R650M1XTM

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

1 944Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

22,09 zł

14,66 zł

10,63 zł

9,70 zł

Opakowanie zbiorcze

9,07 zł

Dostępność opcji MouseReel

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

7.4 A

650 mOhms

- 10 V, + 20 V

4.5 V

8 nC

- 55 C

+ 175 C

88 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R030M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: 56,95 zł
1 125Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
IMBG120R030M1HXTMA1

Nr części Mouser
726-IMBG120R030M1HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Karta charakterystyki

1 125Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

56,95 zł

46,37 zł

38,64 zł

37,09 zł

Opakowanie zbiorcze

32,13 zł

Dostępność opcji MouseReel

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

41 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

63 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R090M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: 27,55 zł
934Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
IMBG120R090M1HXTMA1

Nr części Mouser
726-IMBG120R090M1HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Karta charakterystyki

934Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

27,55 zł

20,75 zł

15,54 zł

15,46 zł

Opakowanie zbiorcze

14,11 zł

Dostępność opcji MouseReel

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

26 A

125 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R140M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: 26,88 zł
2 000Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
IMBG120R140M1HXTMA1

Nr części Mouser
726-IMBG120R140M1HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Karta charakterystyki

2 000Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

26,88 zł

17,43 zł

13,23 zł

12,77 zł

Opakowanie zbiorcze

11,93 zł

Dostępność opcji MouseReel

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

18 A

189 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

13.4 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R350M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: 20,62 zł
1 379Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
IMBG120R350M1HXTMA1

Nr części Mouser
726-IMBG120R350M1HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Karta charakterystyki

1 379Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

20,62 zł

13,78 zł

9,87 zł

8,95 zł

Opakowanie zbiorcze

8,40 zł

Dostępność opcji MouseReel

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

4.7 A

468 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

5.9 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 61,15 zł
238Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
IMZ120R030M1HXKSA1

Nr części Mouser
726-IMZ120R030M1HXKS

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

238Na stanie magazynowym

61,15 zł

37,67 zł

34,52 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

40 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R140M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 32,63 zł
379Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
IMZ120R140M1HXKSA1

Nr części Mouser
726-IMZ120R140M1HXKS

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

379Na stanie magazynowym

32,63 zł

20,33 zł

18,27 zł

14,32 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

19 A

182 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

94 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 53,21 zł
1 300Na stanie magazynowym
NRND

Produc. Nr części
IMW65R027M1HXKSA1

Nr części Mouser
726-IMW65R027M1HXKSA

NRND

Infineon Technologies

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

1 300Na stanie magazynowym

53,21 zł

40,61 zł

32,13 zł

29,78 zł

28,98 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

47 A

34 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

62 nC

- 55 C

+ 150 C

189 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 35,57 zł
477Na stanie magazynowym
NRND

Produc. Nr części
IMW65R048M1HXKSA1

Nr części Mouser
726-IMW65R048M1HXKSA

NRND

Infineon Technologies

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

477Na stanie magazynowym

35,57 zł

25,12 zł

20,92 zł

18,65 zł

17,43 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

39 A

64 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 60,35 zł
480Oczekiwane: 11.06.2026

Produc. Nr części
IMW120R030M1HXKSA1

Nr części Mouser
726-IMW120R030M1HXKS

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

480Oczekiwane: 11.06.2026

60,35 zł

38,05 zł

34,94 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

40 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R140M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 27,47 zł
388Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
IMW120R140M1HXKSA1

Nr części Mouser
726-IMW120R140M1HXKS

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

388Na stanie magazynowym

27,47 zł

16,88 zł

14,15 zł

13,10 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

19 A

182 mOhms

- 7 V, + 23 V

3.5 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R350M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 22,97 zł
417Na stanie magazynowym
480Oczekiwane: 25.06.2026

Produc. Nr części
IMW120R350M1HXKSA1

Nr części Mouser
726-IMW120R350M1HXKS

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

417Na stanie magazynowym

480Oczekiwane: 25.06.2026

22,97 zł

13,02 zł

10,88 zł

9,58 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

4.7 A

455 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

5.3 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R060M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 40,70 zł
26Na stanie magazynowym
960Dostępna ilość z otwartych zamówień

Produc. Nr części
IMZ120R060M1HXKSA1

Nr części Mouser
726-IMZ120R060M1HXKS

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

26Na stanie magazynowym

960Dostępna ilość z otwartych zamówień

40,70 zł

26,29 zł

22,43 zł

20,37 zł

20,33 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

78 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R090M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 35,74 zł
199Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
IMZ120R090M1HXKSA1

Nr części Mouser
726-IMZ120R090M1HXKS

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

199Na stanie magazynowym

35,74 zł

22,85 zł

18,69 zł

16,76 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

26 A

117 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

115 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R220M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 28,64 zł
63Na stanie magazynowym
1 920Dostępna ilość z otwartych zamówień

Produc. Nr części
IMZ120R220M1HXKSA1

Nr części Mouser
726-IMZ120R220M1HXKS

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

63Na stanie magazynowym

1 920Dostępna ilość z otwartych zamówień

28,64 zł

17,85 zł

14,62 zł

12,77 zł

12,26 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

13 A

220 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

8.5 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R107M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 25,66 zł
342Na stanie magazynowym
NRND

Produc. Nr części
IMW65R107M1HXKSA1

Nr części Mouser
726-IMW65R107M1HXKSA

NRND

Infineon Technologies

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

342Na stanie magazynowym

25,66 zł

14,66 zł

12,26 zł

10,96 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

142 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 54,98 zł
18Na stanie magazynowym
1 200Dostępna ilość z otwartych zamówień
NRND

Produc. Nr części
IMZA65R027M1HXKSA1

Nr części Mouser
726-IMZA65R027M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

18Na stanie magazynowym

1 200Dostępna ilość z otwartych zamówień

54,98 zł

41,87 zł

34,90 zł

31,08 zł

29,02 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

59 A

34 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

189 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 37,04 zł
29Na stanie magazynowym
240Oczekiwane: 29.04.2027
NRND

Produc. Nr części
IMZA65R048M1HXKSA1

Nr części Mouser
726-IMZA65R048M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

29Na stanie magazynowym

240Oczekiwane: 29.04.2027

37,04 zł

24,07 zł

19,24 zł

18,19 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

39 A

64 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBF170R1K0M1XTMA1
Infineon Technologies
1: 19,28 zł
11 000Oczekiwane: 02.07.2026

Produc. Nr części
IMBF170R1K0M1XTMA1

Nr części Mouser
726-IMBF170R1K0M1XTM

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

11 000Oczekiwane: 02.07.2026

Odcinek taśmy

19,28 zł

12,81 zł

10,42 zł

8,69 zł

Opakowanie zbiorcze

7,56 zł

Dostępność opcji MouseReel

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

5.2 A

1 Ohms

- 10 V, + 20 V

4.5 V

5 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

CoolSiC

CoolSiC™ MOSFETs

Biuro Obsługi Klienta

Firma

Zasoby

Wsparcie

34 mOhms
40 mOhms
41 mOhms
45 mOhms
64 mOhms
78 mOhms
83 mOhms
94 mOhms
117 mOhms
125 mOhms
142 mOhms
182 mOhms
189 mOhms
220 mOhms
289 mOhms
294 mOhms
350 mOhms
450 mOhms
455 mOhms
468 mOhms