Moduły MOSFET SIC – Mouser Polska

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

CoolSiC™ MOSFETs

Infineon CoolSiC™ MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. The discrete CoolSiC portfolio in TO- and SMD-housings comes in 650V, 1200V, and 1700V voltage classes, with on-resistance ratings from 27mΩ up to 1000mΩ. CoolSiC trench technology enables a flexible parameter set, which is used to implement application-specific features in respective product portfolios. These features include gate-source voltages, avalanche specification, short-circuit capability, or internal body diode rated for hard commutation.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 29

Zastosowane filtry:

Styl mocowania

Opakowanie/obudowa

Vds – Napięcie przebicia dren–źródło

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Vgs – Napięcie bramka–źródło

Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło

Qg – ładunek bramki

Maksymalna temperatura robocza

Pd – strata mocy

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Obraz	Nr części	Produc.	Opis	Karta charakterystyki	Dostępność	Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.	Il.	Styl mocowania	Opakowanie/obudowa	Liczba kanałów	Vds – Napięcie przebicia dren–źródło	Id – Ciągły prąd drenu	Rds On – rezystancja dren–źródło	Vgs – Napięcie bramka–źródło	Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło	Qg – ładunek bramki	Minimalna temperatura robocza	Maksymalna temperatura robocza	Pd – strata mocy	Tryb kanału	Nazwa handlowa
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R090M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 26,49 zł 825Na stanie magazynowym NRND	Produc. Nr części IMBG120R090M1HXTMA1 Nr części Mouser 726-IMBG120R090M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Karta charakterystyki	825Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 26,49 zł 18,26 zł 16,46 zł 15,66 zł Opakowanie zbiorcze 15,40 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	26 A	125 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	23 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 52,49 zł 617Na stanie magazynowym NRND	Produc. Nr części IMBG120R045M1HXTMA1 Nr części Mouser 726-IMBG120R045M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Karta charakterystyki	617Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 52,49 zł 31,99 zł 29,70 zł Opakowanie zbiorcze 28,07 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	47 A	45 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	46 nC	- 55 C	+ 175 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 23,85 zł 368Na stanie magazynowym NRND	Produc. Nr części IMZ120R140M1HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMZ120R140M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Karta charakterystyki	368Na stanie magazynowym	23,85 zł 16,54 zł 15,44 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	19 A	182 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	13 nC	- 55 C	+ 150 C	94 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R060M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 39,42 zł 303Na stanie magazynowym NRND	Produc. Nr części IMBG120R060M1HXTMA1 Nr części Mouser 726-IMBG120R060M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Karta charakterystyki	303Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 39,42 zł 21,96 zł 20,68 zł Opakowanie zbiorcze 19,58 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	36 A	83 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	181 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 59,18 zł 370Na stanie magazynowym NRND	Produc. Nr części IMW120R030M1HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMW120R030M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Karta charakterystyki	370Na stanie magazynowym	59,18 zł 39,95 zł 38,06 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	56 A	40 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R030M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 61,91 zł 2 509Na stanie magazynowym NRND	Produc. Nr części IMBG120R030M1HXTMA1 Nr części Mouser 726-IMBG120R030M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Karta charakterystyki	2 509Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 61,91 zł 37,09 zł Opakowanie zbiorcze 34,63 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	56 A	41 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	63 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R450M1XTMA1 Infineon Technologies 1: 28,95 zł 6 541Na stanie magazynowym 9 000Dostępna ilość z otwartych zamówień	Produc. Nr części IMBF170R450M1XTMA1 Nr części Mouser 726-IMBF170R450M1XTM	Infineon Technologies	SiC MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets	Karta charakterystyki	6 541Na stanie magazynowym 9 000Dostępna ilość z otwartych zamówień Terminy wysyłek bieżących zamówień Nr prod.: IMBF170R450M1XTMA1 Stany magazynowe: 6 541 Wysylamy natychmiast Dostępna ilość z otwartych zamówień: 3 000 Oczekiwane: 11.03.2027 6 000 Do ustalenia Średni czas produkcji: 52 tygodni	Odcinek taśmy 28,95 zł 19,36 zł 15,58 zł 13,86 zł Opakowanie zbiorcze 12,28 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 Maks.: 1 000 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	9.8 A	450 mOhms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	11 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R350M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 23,72 zł 1 420Na stanie magazynowym NRND	Produc. Nr części IMBG120R350M1HXTMA1 Nr części Mouser 726-IMBG120R350M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Karta charakterystyki	1 420Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 23,72 zł 15,53 zł 11,48 zł 10,38 zł Opakowanie zbiorcze 10,38 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 Maks.: 500 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	4.7 A	468 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	5.9 nC	- 55 C	+ 175 C	65 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 34,98 zł 1 054Na stanie magazynowym NRND	Produc. Nr części IMW120R090M1HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMW120R090M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Karta charakterystyki	1 054Na stanie magazynowym	34,98 zł 18,74 zł 17,25 zł 16,41 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	26 A	117 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	21 nC	- 55 C	+ 150 C	115 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 27,37 zł 3 851Na stanie magazynowym NRND	Produc. Nr części IMW120R220M1HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMW120R220M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Karta charakterystyki	3 851Na stanie magazynowym	27,37 zł 14,26 zł 13,11 zł 13,07 zł 11,84 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	13 A	289 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	8.5 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 55,31 zł 1 701Na stanie magazynowym NRND	Produc. Nr części IMW65R027M1HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMW65R027M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Karta charakterystyki	1 701Na stanie magazynowym	55,31 zł 33,26 zł 32,82 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	47 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	62 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 40,70 zł 341Na stanie magazynowym NRND	Produc. Nr części IMW65R048M1HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMW65R048M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Karta charakterystyki	341Na stanie magazynowym	40,70 zł 22,13 zł 20,46 zł 20,33 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 43,38 zł 855Na stanie magazynowym NRND	Produc. Nr części IMZ120R060M1HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMZ120R060M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Karta charakterystyki	855Na stanie magazynowym	43,38 zł 31,42 zł 26,14 zł 23,28 zł 21,78 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	36 A	78 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 36,92 zł 960Na stanie magazynowym NRND	Produc. Nr części IMZ120R090M1HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMZ120R090M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Karta charakterystyki	960Na stanie magazynowym	36,92 zł 19,89 zł 18,35 zł 17,64 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	26 A	117 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	21 nC	- 55 C	+ 150 C	115 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 39,38 zł 299Na stanie magazynowym NRND	Produc. Nr części IMZA65R048M1HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMZA65R048M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Karta charakterystyki	299Na stanie magazynowym	39,38 zł 22,66 zł 20,99 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R650M1XTMA1 Infineon Technologies 1: 25,74 zł 2 436Na stanie magazynowym	Produc. Nr części IMBF170R650M1XTMA1 Nr części Mouser 726-IMBF170R650M1XTM	Infineon Technologies	SiC MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets	Karta charakterystyki	2 436Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 25,74 zł 16,90 zł 12,41 zł 11,04 zł Opakowanie zbiorcze 9,77 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	7.4 A	650 mOhms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	8 nC	- 55 C	+ 175 C	88 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 28,42 zł 3 842Na stanie magazynowym NRND	Produc. Nr części IMBG120R140M1HXTMA1 Nr części Mouser 726-IMBG120R140M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Karta charakterystyki	3 842Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 28,42 zł 15,27 zł 13,95 zł Opakowanie zbiorcze 12,98 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	18 A	189 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	13.4 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 25,21 zł 2 469Na stanie magazynowym NRND	Produc. Nr części IMBG120R220M1HXTMA1 Nr części Mouser 726-IMBG120R220M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Karta charakterystyki	2 469Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 25,21 zł 13,38 zł 12,01 zł Opakowanie zbiorcze 10,65 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	13 A	294 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	9.4 nC	- 55 C	+ 175 C	83 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 41,93 zł 472Na stanie magazynowym 720Oczekiwane: 20.10.2026 NRND	Produc. Nr części IMW120R060M1HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMW120R060M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Karta charakterystyki	472Na stanie magazynowym 720Oczekiwane: 20.10.2026	41,93 zł 29,61 zł 24,73 zł 22,00 zł 20,55 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	36 A	78 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 30,14 zł 314Na stanie magazynowym NRND	Produc. Nr części IMW65R072M1HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMW65R072M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Karta charakterystyki	314Na stanie magazynowym	30,14 zł 17,29 zł 16,10 zł 15,49 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	26 A	94 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R107M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 28,64 zł 463Na stanie magazynowym NRND	Produc. Nr części IMW65R107M1HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMW65R107M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Karta charakterystyki	463Na stanie magazynowym	28,64 zł 15,00 zł 13,82 zł 12,76 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	20 A	142 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 26,93 zł 43Na stanie magazynowym 960Dostępna ilość z otwartych zamówień NRND	Produc. Nr części IMW120R350M1HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMW120R350M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Karta charakterystyki	43Na stanie magazynowym 960Dostępna ilość z otwartych zamówień Terminy wysyłek bieżących zamówień Nr prod.: IMW120R350M1HXKSA1 Stany magazynowe: 43 Wysylamy natychmiast Dostępna ilość z otwartych zamówień: 720 Oczekiwane: 03.12.2026 240 Oczekiwane: 10.12.2026 Średni czas produkcji: 52 tygodni	26,93 zł 17,64 zł 13,02 zł 11,53 zł 10,21 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	4.7 A	455 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	5.3 nC	- 55 C	+ 150 C	60 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 30,93 zł 22Na stanie magazynowym 2 160Dostępna ilość z otwartych zamówień NRND	Produc. Nr części IMZ120R220M1HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMZ120R220M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Karta charakterystyki	22Na stanie magazynowym 2 160Dostępna ilość z otwartych zamówień Terminy wysyłek bieżących zamówień Nr prod.: IMZ120R220M1HXKSA1 Stany magazynowe: 22 Wysylamy natychmiast Dostępna ilość z otwartych zamówień: 960 Oczekiwane: 25.03.2027 1 200 Oczekiwane: 15.04.2027 Średni czas produkcji: 52 tygodni	30,93 zł 20,68 zł 16,63 zł 14,74 zł 13,11 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	13 A	220 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	8.5 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package IMZ120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 27,06 zł 179Na stanie magazynowym 240Oczekiwane: 10.12.2026 NRND	Produc. Nr części IMZ120R350M1HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMZ120R350M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package	Karta charakterystyki	179Na stanie magazynowym 240Oczekiwane: 10.12.2026	27,06 zł 18,08 zł 14,56 zł 12,89 zł 11,44 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	4.7 A	350 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	5.3 nC	- 55 C	+ 150 C	60 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 60,19 zł 17Na stanie magazynowym 3 600Dostępna ilość z otwartych zamówień NRND	Produc. Nr części IMZA65R027M1HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMZA65R027M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Karta charakterystyki	17Na stanie magazynowym 3 600Dostępna ilość z otwartych zamówień Terminy wysyłek bieżących zamówień Nr prod.: IMZA65R027M1HXKSA1 Stany magazynowe: 17 Wysylamy natychmiast Dostępna ilość z otwartych zamówień: 1 680 Oczekiwane: 05.10.2027 1 920 Do ustalenia Średni czas produkcji: 52 tygodni	60,19 zł 34,10 zł 33,79 zł 33,75 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	59 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC