600V CoolMOS™ P7 MOSFETs

Infineon 600V CoolMOS™ P7 MOSFETs are 7th generation devices and utilize revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. The transistors are designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The 600V CoolMOS P7 combines the benefits of a fast switching SJ MOSFET with excellent ease of use. The 600V P7 feature very low ringing tendency, outstanding robustness of body diode against hard commutation and excellent ESD capability. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, compact and cooler.

Wyniki: 59
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
3 457Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 41 A 53 mOhms 20 V 3 V 67 nC - 40 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Karta charakterystyki
2 475Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 490 mOhms 20 V 3 V 9 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
220Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 61 A 45 mOhms 20 V 3.5 V 90 nC - 55 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
4 722Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 120 V 61 A 45 mOhms 20 V 1.7 V 90 nC - 55 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
12 682Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 4 000

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 76 A 30 mOhms 20 V 3 V 121 nC - 55 C + 150 C 255 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
21 007Na stanie magazynowym
23 760Oczekiwane: 29.04.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 145 mOhms 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
7 565Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 145 mOhms 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Karta charakterystyki
4 443Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
1 009Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 101 A 24 mOhms 20 V 3.5 V 164 nC - 55 C + 150 C 291 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
1 030Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 61 A 45 mOhms 20 V 3.5 V 90 nC - 55 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
2 993Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms 20 V 3 V 67 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
1 738Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 69 mOhms 20 V 3 V 51 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
824Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 77 mOhms 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
1 872Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 26 A 100 mOhms 20 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Karta charakterystyki
7 000Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms 20 V 3 V 18 nC - 40 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
1 255Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 17.12.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms 20 V 3 V 67 nC - 55 C + 150 C 164 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
1 162Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 77 mOhms 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 117 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
5 244Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 26 A 100 mOhms 20 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 95 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Karta charakterystyki
9 715Na stanie magazynowym
7 500Oczekiwane: 04.02.2027
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 180 mOhms 20 V 3 V 25 nC - 40 C + 150 C 72 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Karta charakterystyki
7 494Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 600 mOhms 20 V 3.5 V 9 nC - 40 C + 150 C 30 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
4 231Na stanie magazynowym
3 000Oczekiwane: 24.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 33 A 85 mOhms 20 V 3 V 45 nC - 40 C + 150 C 137 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
7 561Na stanie magazynowym
3 000Oczekiwane: 10.12.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 27 A 104 mOhms 20 V 3 V 36 nC - 40 C + 150 C 111 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
3 691Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 149 mOhms 20 V 3 V 25 nC - 40 C + 150 C 81 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
3 752Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 218 mOhms 20 V 3 V 18 nC - 40 C + 150 C 59 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
1 846Na stanie magazynowym
5 000Oczekiwane: 01.04.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms 20 V 3 V 67 nC - 55 C + 150 C 164 W Enhancement CoolMOS Tube