Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.

Rodzaje elementów dyskretnych półprzewodnikowych
Zmień widok kategorii
Wyniki: 33
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Rodzaj produktu
Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Microchip Technology SiC Schottky Diodes UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
Karta charakterystyki
23Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology SiC Schottky Diodes 700 V, 10 A SiC SBD
Karta charakterystyki
325Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology SiC Schottky Diodes 700V, 50A SiC SBD
Karta charakterystyki
44Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK
Microchip Technology SiC Schottky Diodes 700 V, 20 A SiC SBD
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 7 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology SiC Schottky Diodes SIC SBD 1200 V 15 A TO-220
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 8 tygodni
Min.: 150
Wielokr.: 150

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology SiC Schottky Diodes SIC SBD 1200 V 20 A TO-220
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 7 tygodni
Min.: 100
Wielokr.: 100

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SOT227
Karta charakterystyki
Czas realizacji 18 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Discrete Semiconductor Modules SiC Screw Mount SOT-227
Microchip Technology SiC Schottky Diodes SIC SBD 700 V 10 A TO-268
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-268-3