Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.

Rodzaje elementów dyskretnych półprzewodnikowych
Zmień widok kategorii
Wyniki: 33
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Rodzaj produktu
Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247
Karta charakterystyki
110Oczekiwane: 15.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
Microchip Technology SiC Schottky Diodes 700 V, 20 A SiC SBD
Karta charakterystyki
350Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology SiC Schottky Diodes 700V, 50A SiC SBD
Karta charakterystyki
150Oczekiwane: 03.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Microchip Technology Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SOT227
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 14
Wielokr.: 1

Discrete Semiconductor Modules SiC Screw Mount SOT-227
Microchip Technology SiC Schottky Diodes SIC SBD 700 V 10 A TO-268
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 270
Wielokr.: 30

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-268-3
Microchip Technology SiC Schottky Diodes SIC SBD 1200 V 15 A TO-220
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 15 tygodni
Min.: 150
Wielokr.: 50

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology SiC Schottky Diodes SIC SBD 1200 V 20 A TO-220
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 15 tygodni
Min.: 100
Wielokr.: 50

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2