EF High Voltage Power MOSFETs

Vishay / Siliconix EF High Voltage Power MOSFETs with Fast Body Diode are N-Channel power MOSFETs with low reverse recovery charge (Qrr) than standard MOSFETs. The EF power MOSFETs come with low Qrr that allows the devices to avoid failure from shoot-through, thermal overstress, and provide low reverse recovery losses. These devices possess ultra-low on-resistance and gate charge that translate into extremely low conduction and switching losses to save energy in high-power, high-performance switch mode applications.

Wyniki: 31
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie
Vishay / Siliconix MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 24 A 156 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 81 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs N-CHANNEL 600V
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si
Vishay / Siliconix MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 153 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 55 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel
Vishay / Siliconix MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 650 V 20.3 A 148 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 66 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Reel
Vishay / Siliconix MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 180 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 71 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 156 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 81 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube