EF High Voltage Power MOSFETs

Vishay / Siliconix EF High Voltage Power MOSFETs with Fast Body Diode are N-Channel power MOSFETs with low reverse recovery charge (Qrr) than standard MOSFETs. The EF power MOSFETs come with low Qrr that allows the devices to avoid failure from shoot-through, thermal overstress, and provide low reverse recovery losses. These devices possess ultra-low on-resistance and gate charge that translate into extremely low conduction and switching losses to save energy in high-power, high-performance switch mode applications.

Wyniki: 31
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie
Vishay / Siliconix MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
Karta charakterystyki
8 004Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 102 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Bulk
Vishay / Siliconix MOSFETs TO247 600V 8.4A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
832Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.4 A 168 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 600V 8.4A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
1 520Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.4 A 193 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
Karta charakterystyki
2 606Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 102 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs Nch 600V Vds 30V Vgs TO-220AB; w/diode
Karta charakterystyki
1 735Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs Nch 600V Vds 30V Vgs TO-220; w/diode
Karta charakterystyki
1 048Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Tube

Vishay / Siliconix MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
Karta charakterystyki
339Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
Karta charakterystyki
3 000Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 225 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 48 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFETs N-CHANNEL 600V
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
7 619Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 176 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 84 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Bulk
Vishay / Siliconix MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
Karta charakterystyki
835Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 156 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 122 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs Nch 600V Vds 30V Vgs TO-263; w/diode
Karta charakterystyki
1 715Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
Karta charakterystyki
2 927Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 332 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 35 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
Karta charakterystyki
2 920Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 117 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 77 nC - 55 C + 150 C 202 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
Karta charakterystyki
2 920Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 650 V 23 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 77 nC - 55 C + 150 C 202 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AD
Karta charakterystyki
434Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
Karta charakterystyki
2 996Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 41 nC - 55 C + 150 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
Karta charakterystyki
440Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
946Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 8.4 A 168 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
Karta charakterystyki
1 067Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 67 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
Karta charakterystyki
461Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 67 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Bulk
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 800V 20A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
1 540Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 20 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
Karta charakterystyki
98Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 600 V 80 A 32 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 400 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO247 800V 20A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
1 397Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 800 V 20 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube

Vishay / Siliconix MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
Karta charakterystyki
475Oczekiwane: 03.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 63 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 185 nC - 55 C + 150 C 417 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs Nch 600V Vds 30V Vgs TO-247AC; w/diode
Karta charakterystyki
500Dostępne w magazynie
Więcej dostępnych informacji
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube