QPD0020 GaN RF Power Transistors

Qorvo QPD0020 GaN RF Power Transistors are 35W unmatched discrete GaN on SiC HEMT which operates from DC to 6GHz on a +48V supply rail. The devices are suited for base station, radar, and communications applications. The transistors support CW and pulsed mode of operations. The QPD0020 can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for small cell, microcell, and active antenna systems. The QPD0020 can also be used as a driver in a macrocell base station power amplifier.

Rodzaje półprzewodników

Zmień widok kategorii
Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS
Qorvo RF Bipolar Transistors DC-6 GHz, 35 Watt, 48 Volt GaN RF Power Transistor 100Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 100

Qorvo GaN FETs DC-6GHz 35W 50V GaN Transistor Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 500
Wielokr.: 500
Szpula: 500