STDRIVEG212 220V Half-Bridge Gate Driver

STMicroelectronics STDRIVEG212 220V High-Speed Half-Bridge Gate Driver is optimized for 5V driving enhanced-mode GaN HEMTs. The high-side driver section is designed to support a voltage rail of up to 220V and can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. High-current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs make the STDRIVEG212 optimized for driving high-speed GaN.

Wszystkie wyniki (2)

Wybierz kategorię poniżej, aby zobaczyć opcje filtrowania i zawęzić kryteria wyszukiwania.
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS
STMicroelectronics Gate Drivers High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 613Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000
STMicroelectronics STDRIVEG212Q
STMicroelectronics STMicroelectronics High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches Niedostępne na stanie
Min.: 4 900
Wielokr.: 4 900