STDRIVEG212Q

STMicroelectronics
511-STDRIVEG212Q
STDRIVEG212Q

Produc.:

Opis:
STMicroelectronics High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

Cykl życia:
Nowe produkty:
Nowości od tego producenta.

Dostępność

Stany magazynowe:
Niedostępne na stanie
Średni czas produkcji:
Minimum: 4900   Wielokrotności: 4900
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
4,99 zł 24 451,00 zł

Alternatywne pakowanie

Produc. Nr części:
Opakowanie:
Reel, Cut Tape
Dostępność:
Na stanie magazynowym
Cena:
14,28 zł
Min.:
1

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
STMicroelectronics
Kategoria produktów: STMicroelectronics
Marka: STMicroelectronics
Opakowanie: Tray
Wielkość opakowania producenta: 4900
Nazwa handlowa: STDRIVE
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

STDRIVEG212 220V Half-Bridge Gate Driver

STMicroelectronics STDRIVEG212 220V High-Speed Half-Bridge Gate Driver is optimized for 5V driving enhanced-mode GaN HEMTs. The high-side driver section is designed to support a voltage rail of up to 220V and can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. High-current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs make the STDRIVEG212 optimized for driving high-speed GaN.

WYRÓŻNIONE PRODUKTY
STMICROELECTRONICS