Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

TP65H050G4WS

Name: Renesas Electronics TP65H050G4WS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H050G4WS
Price: 39.17 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

227-TP65H050G4WS

Nr prod.:

TP65H050G4WS

Produc.:

Renesas Electronics

Opis:

GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TO247-3L

Karta charakterystyki:

TP65H050G4WS Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Renesas Electronics TP65H050G4WS

Na stanie magazynowym: 768

Stany magazynowe:: 768 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	39,17 zł	39,17 zł
	23,44 zł	234,40 zł
	19,95 zł	1 995,00 zł
	19,22 zł	17 298,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Renesas Electronics
Kategoria produktów:	Tranzystory GaN FET
RoHS:
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-247-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	650 V
Id – Ciągły prąd drenu:	34 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	60 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, + 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.8 V
Qg – ładunek bramki:	24 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	119 W
Tryb kanału:	Enhancement
Marka:	Renesas Electronics
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	10.9 ns
Opakowanie:	Tube
Rodzaj produktu:	GaN FETs
Czas narastania:	11.3 ns
Wielkość opakowania producenta:	900
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	GaN
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	88.3 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	49.2 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

TP65H050G4WS Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

650V 34A GaN FETs

Renesas Electronics 650V 34A GaN (Gallium Nitride) FETs are normally-off devices using Renesas Electronics's Gen IV platform. The FETs combine a high voltage GaN HEMT with a low voltage silicon MOSFET. The Gen IV SuperGaN® platform uses advanced epi and patented design technologies to simplify manufacturability while improving efficiency over silicon via lower gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. GaN FETs have inherently superior performance over traditional silicon FETs, offering faster switching and better thermal performance.