Tranzystory MOSFET CoolSiC™ 650V G2

Tranzystory MOSFET CoolSiC™ 650V G2 firmy Infineon wykorzystują wydajność możliwości węglika krzemu, co przekłada się na wyższą wydajność podczas konwersji mocy. Tranzystory  MOSFET CoolSiC 650 V G2 firmy Infineon zapewniają korzyści w różnorodnych zastosowaniach półprzewodnikowych, takich jak fotowoltaika, magazynowanie energii, ładowanie pojazdów elektrycznych prądem stałym, napędy silnikowe i zasilacze przemysłowe. Stacja szybkiego ładowania DC pojazdów elektrycznych wyposażona w CoolSiC G2 pozwala na zmniejszenie strat energii w stosunku do poprzednich generacji nawet o 10%, jednocześnie zapewniając większą wydajność ładowania bez kompromisów w zakresie kształtu.

Wyniki: 53
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2
Karta charakterystyki
272Na stanie magazynowym
720Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 32.8 A 73 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
Karta charakterystyki
720Oczekiwane: 15.04.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 144 A 13.1 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2
Karta charakterystyki
114Na stanie magazynowym
240Oczekiwane: 28.01.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 32.8 A 73 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
1 113Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 115 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 416 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
1 282Na stanie magazynowym
1 800Oczekiwane: 18.02.2027
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 15 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
1 733Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 20 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
964Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 40 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
1 371Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 50 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
1 753Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 60 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
520Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 93 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
955Na stanie magazynowym
240Oczekiwane: 27.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 83 A 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 273 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
919Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 153 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
293Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 50 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
110Na stanie magazynowym
480Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
9Na stanie magazynowym
960Oczekiwane: 16.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 210 A 8.5 mOhms - 18 V, + 18 V 5.6 V 439 nC - 55 C + 175 C 625 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
241Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 153 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
5Na stanie magazynowym
2 000Oczekiwane: 26.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
21Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 60 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
16Na stanie magazynowym
480Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
473Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 83 A 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 273 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
Karta charakterystyki
5Na stanie magazynowym
720Oczekiwane: 10.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 64 A 33 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
1 500Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 196 A 8.5 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 179 nC - 55 C + 175 C 937 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
Karta charakterystyki
4 396Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 800

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 82 A 33 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 365 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
4 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 131 A 18 mOhms - 7 V to 23 V 4.5 V 148 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
3 972Oczekiwane: 01.04.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 58.7 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 277 W Enhancement