U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low RDS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

Wyniki: 86
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Kwalifikacje Nazwa handlowa Opakowanie
Toshiba MOSFETs Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-0.8A, RDS(ON)=0.39Ohm @ 4.5V, in VESM package 19 071Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 8 000

Si SMD/SMT VESM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 4 Ohms - 8 V, 6 V 1 V 1.6 nC - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs N-Ch U-MOSVI FET ID 6A 30VDSS 340pF 2 690Na stanie magazynowym
15 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 56 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 2.7 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P-Ch U-MOS VI FET ID -4A -20VDSS 500mW 8 059Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 4 000

Si SMD/SMT ES6-6 P-Channel 1 Channel 20 V 4 A 94 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 14.1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=-3.6A VDSS=-30V 12 555Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 4 000

Si SMD/SMT SOT-563-6 P-Channel 1 Channel 30 V 3.6 A 50 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 7.9 nC - 55 C + 150 C 700 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P-Ch U-MOS VI FET ID -3.4A -20V 630pF 2 818Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 4 000

Si SMD/SMT ES6-6 P-Channel 1 Channel 20 V 3.4 A 154 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 10.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P-Ch U-MOS VI FET ID -6A -20V 1650pF 3 887Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UF-6 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 54 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 23.1 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-4.0A, RDS(ON)=0.0427Ohm @ 4.5V, in UF6 package 3 473Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UF-6 P-Channel 1 Channel 20 V 4 A 42.7 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 12.8 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS 9 089Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UDFN6B-6 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 60.5 mOhms - 8 V, 8 V 1 W U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P-Ch SSM -5A -20V 12V VGSS 0.035Ohm 935Na stanie magazynowym
3 000Oczekiwane: 14.12.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT WCSP6C-6 P-Channel 2 Channel 20 V 5 A 26 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 9.8 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small-signal MOSFET ID=-6A VDSS=-20V 896Na stanie magazynowym
3 000Oczekiwane: 04.12.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 32.5 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 12.8 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch+Pch ID:4A 1 048Na stanie magazynowym
3 000Oczekiwane: 25.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 4 A 108 mOhms, 157 mOhms - 12 V, - 8 V, 8 V, 12 V 400 mV, 500 mV 3.6 nC, 6.74 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVII-H / U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFETs N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1 5 685Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 20 V 100 mA 5.2 Ohms - 10 V, 10 V 1.1 V - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch ID: 4A 237Na stanie magazynowym
6 000Oczekiwane: 02.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 2 Channel 20 V 4 A 108 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 3.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 12V GS 1 827Na stanie magazynowym
3 000Oczekiwane: 09.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6 P-Channel 2 Channel 20 V 4 A 157 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P-Ch MOS 33.8 mOhm 10V 10uA 2.0 to 3.0V 1 231Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 10 A 33.8 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 19 nC - 55 C + 175 C 27 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P-Ch MOS 1770pF 41W 36nC -15A -60V 1 721Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 15 A 63 mOhms 36 nC 41 W AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel


Toshiba MOSFETs 1 174Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 100 V 15 A 130 mOhms - 20 V, 10 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement
Toshiba MOSFETs P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222 256Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 20 A 22.2 mOhms 41 W AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063 807Na stanie magazynowym
2 000Oczekiwane: 13.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 60 A 6.3 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 125 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112 343Na stanie magazynowym
6 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 60 A 11.2 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 156 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFETs N-Ch -40V FET 1650pF -9A 1.9W 1 829Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 40 V 9 A 18 mOhms 1.9 W U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI 976Na stanie magazynowym
20 000Oczekiwane: 16.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 20 V 60 A 1.7 mOhms - 12 V, 12 V 500 mV 182 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS
196 611Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 3.5 A 164 mOhms - 20 V, 10 V 800 mV 15.1 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small Signal MOSFET
279 427Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 8 000

Si SMD/SMT SOT-723-3 P-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 390 mOhms - 8 V, 8 V 300 mV 1.6 nC + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF
49 790Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si N-Channel 1 Channel U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel