U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low RDS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

Wyniki: 86
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Kwalifikacje Nazwa handlowa Opakowanie
Toshiba MOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4A 624Na stanie magazynowym
3 000Oczekiwane: 20.02.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4 A 55 mOhms - 8 V, 6 V 300 mV 10.4 nC + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P Channel -30V -6A AECQ MOSFET 3 413Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 30 V 6 A 42 mOhms - 12 V, 6 V 1.2 V 8.2 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-2A 7 068Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT S-Mini-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2 A 150 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A 8 407Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.9 A 93 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A 5 790Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 29.8 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 12.8 nC + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Nch MOSFET 9 961Na stanie magazynowym
10 000Oczekiwane: 03.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 10 000

Si SMD/SMT CST3-3 P-Channel 1 Channel 20 V 1.4 A 4 Ohms - 8 V, 8 V 1 V 1.6 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=-3.6A VDSS=-30V 1 260Na stanie magazynowym
12 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 4 000

Si SMD/SMT SOT-563-6 P-Channel 1 Channel 30 V 3.6 A 50 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 7.9 nC - 55 C + 150 C 700 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-4.0A, RDS(ON)=0.0427Ohm @ 4.5V, in UF6 package 3 546Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT UF-6 P-Channel 1 Channel 20 V 4 A 42.7 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 12.8 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS 111Na stanie magazynowym
12 000Oczekiwane: 18.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT UDFN6B-6 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 60.5 mOhms - 8 V, 8 V 1 W U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P-Ch SSM -5A -20V 12V VGSS 0.035Ohm 1 097Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT WCSP6C-6 P-Channel 2 Channel 20 V 5 A 26 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 9.8 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small-signal MOSFET ID=-6A VDSS=-20V 3 906Na stanie magazynowym
9 000Oczekiwane: 04.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 32.5 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 12.8 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch+Pch ID:4A 4 607Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 4 A 108 mOhms, 157 mOhms - 12 V, - 8 V, 8 V, 12 V 400 mV, 500 mV 3.6 nC, 6.74 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVII-H / U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFETs N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1 5 895Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 20 V 100 mA 5.2 Ohms - 10 V, 10 V 1.1 V - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 9 693Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si N-Channel 2 Channel U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 12V GS 3 370Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6 P-Channel 2 Channel 20 V 4 A 157 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-20V, VGSS=+6/-12V, ID=-4.0A, in UDFN6 package 7 343Na stanie magazynowym
6 000Oczekiwane: 11.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6 P-Channel 2 Channel 20 V 4 A 157 mOhms - 12 V, 6 V 1.2 V 6.74 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P-Ch MOS 33.8 mOhm 10V 10uA 2.0 to 3.0V 1 507Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 10 A 33.8 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 19 nC - 55 C + 175 C 27 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P-Ch MOS 1770pF 41W 36nC -15A -60V 1 851Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 15 A 63 mOhms 36 nC 41 W AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel


Toshiba MOSFETs 1 441Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 100 V 15 A 130 mOhms - 20 V, 10 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement
Toshiba MOSFETs P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222 291Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 20 A 22.2 mOhms 41 W AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112 573Na stanie magazynowym
2 000Oczekiwane: 14.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 60 A 11.2 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 156 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P-Ch MOS -8A -60V 27W 890pF 0.104 2 565Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 8 A 104 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 19 nC - 55 C + 175 C 27 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV MOQ=5000 PD=30W F=1MHZ 3 141Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 5 000

Si SMD/SMT TSON-8 P-Channel 1 Channel 30 V 23 A 7.8 mOhms - 25 V, 20 V 800 mV 76 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI 1 633Na stanie magazynowym
5 000Oczekiwane: 01.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 5 000

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 20 V 60 A 1.7 mOhms - 12 V, 12 V 500 mV 182 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI 8 612Na stanie magazynowym
5 000Oczekiwane: 15.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 5 000

Si SMD/SMT TSON-8 P-Channel 1 Channel 20 V 36 A 4.7 mOhms - 12 V, 12 V 500 mV 65 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel