U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low RDS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

Wyniki: 86
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Kwalifikacje Nazwa handlowa Opakowanie
Toshiba MOSFETs P-Ch MOS 1100 pF 29W PD -15A -40V 3 899Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 15 A 48 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 26 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFETs N-Ch -40V FET 1650pF -9A 1.9W 2 339Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 40 V 9 A 18 mOhms 1.9 W U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218 5 582Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 30 A 21.8 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 80 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091 4 315Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 40 A 9.1 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 83 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P-Ch MOS -50A -60V 90W 6290pF 0.0138 8 278Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 50 A 13.8 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 124 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-6.0A, RDS(ON)=0.0225Ohm @ 4.5V, in UF6 package 422Na stanie magazynowym
3 000Oczekiwane: 04.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UF-6 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 22.5 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 23.1 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD 9 644Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si N-Channel 2 Channel U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs N-Ch U-MOSVI FET ID 6A 30VDSS 340pF 18 000Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 56 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 2.7 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=-3.2A VDSS=-20V 13 950Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.2 A 93 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape

Toshiba MOSFETs N-Ch -30V FET 1650pF -9A 1.9W 3 694Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 30 V 9 A 28 mOhms - 25 V, 20 V 2 V 39 nC + 150 C 1.9 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small-signal FET 24.8 nC -4.4A -20V 16 192Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4.4 A 25.8 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 24.8 nC - 55 C + 150 C 800 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs SM Sig P-CH MOS 12V VGSS -6A -30VDSS 113 582Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si P-Channel 1 Channel U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS 24 689Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UDFN6B-6 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 60.5 mOhms - 8 V, 8 V 1 W U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112 2 513Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 60 A 11.2 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 156 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=--0.4A VDSS=-60V 36 719Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-346-3 P-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.3 Ohms - 20 V, 10 V 2 V 3 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -30VDSS 280pF 46 213Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si P-Channel 1 Channel U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS 87 373Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 3.5 A 164 mOhms - 20 V, 10 V 800 mV 15.1 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V 49 923Na stanie magazynowym
42 000Oczekiwane: 20.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 2 A 300 mOhms - 20 V, 10 V 800 mV + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P Channel -20V -6A AECQ MOSFET 96 681Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 29.8 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 12.8 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V 21 638Na stanie magazynowym
39 000Oczekiwane: 12.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 20 V 4 A 25 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 3.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small Signal MOSFET V=30V, I-10A 20 761Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6 P-Channel 1 Channel 30 V 10 A 20 mOhms - 25 V, 20 V 1 V 13.6 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK+ PD=180W F=1MHZ 7 008Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 90 A 4.3 mOhms - 20 V, 10 V 1 V 172 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFETs P-Ch -30V FET 2580pF -10A 1.9W 6 178Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 30 V 10 A 17 mOhms - 25 V, 20 V 2 V 64 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFETs N-Ch -30V FET 1650pF -7A 1.9W 6 259Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 40 V 7 A 33 mOhms - 25 V, 20 V 2 V 34 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR PS-8 V=-40 PD=2.01W F=1MHZ 17 192Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PS-8 P-Channel 1 Channel 40 V 8 A 18 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 44.6 nC - 55 C + 175 C 2.01 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel