U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low RDS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

Wyniki: 86
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Kwalifikacje Nazwa handlowa Opakowanie

Toshiba MOSFETs N-Ch -30V FET 1650pF -7A 1.9W 5 829Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 40 V 7 A 33 mOhms - 25 V, 20 V 2 V 34 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR PS-8 V=-40 PD=2.01W F=1MHZ 13 983Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PS-8 P-Channel 1 Channel 40 V 8 A 18 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 44.6 nC - 55 C + 175 C 2.01 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI 4 008Na stanie magazynowym
20 000Oczekiwane: 16.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 20 V 60 A 1.7 mOhms - 12 V, 12 V 500 mV 182 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small-signal MOSFET ID -5.4A, VDSS -12V 5 480Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 12 V 5.4 A 14 mOhms - 6 V, 6 V 1 V 33 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small-signal MOSFET P-Channel 4 275Na stanie magazynowym
12 000Oczekiwane: 13.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 5.5 A 24.9 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 12.8 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4.4A 1 544Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4.4 A 25.8 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 24.8 nC + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-5.5A 4 591Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 5.5 A 29.8 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 12.8 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -20VDSS 630pF 2 562Na stanie magazynowym
30 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4 A 150 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 10.4 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=-2A VDSS=-20V 1 426Na stanie magazynowym
3 000Oczekiwane: 28.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT S-Mini-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2 A 90 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 5.1 nC - 55 C + 150 C 600 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small-signal MOSFET ID -2A, VDSS -30V 5 407Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-346-3 P-Channel 1 Channel 30 V 2 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 3.4 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P Channel -60V -2A AECQ MOSFET 8 902Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 2 A 360 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P Channel -30V -6A AECQ MOSFET 7 574Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 30 V 6 A 42 mOhms - 12 V, 6 V 1.2 V 8.2 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-30V Vgss:-20/+10V Id:-4A 11 960Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 30 V 4 A 71 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 5.9 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P Channel -20V -2A AECQ MOSFET 4 224Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT S-Mini-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2 A 150 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A 1 177Na stanie magazynowym
9 000Oczekiwane: 17.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.9 A 93 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A 2 469Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 29.8 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 12.8 nC + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-0.8A, RDS(ON)=0.39Ohm @ 4.5V, in VESM package 19 071Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 8 000

Si SMD/SMT VESM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 4 Ohms - 8 V, 6 V 1 V 1.6 nC - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs N-Ch U-MOSVI FET ID 6A 30VDSS 340pF 2 700Na stanie magazynowym
6 000Oczekiwane: 10.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 56 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 2.7 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=-3.6A VDSS=-30V 12 655Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 4 000

Si SMD/SMT SOT-563-6 P-Channel 1 Channel 30 V 3.6 A 50 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 7.9 nC - 55 C + 150 C 700 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P-Ch U-MOS VI FET ID -3.4A -20V 630pF 2 818Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 4 000

Si SMD/SMT ES6-6 P-Channel 1 Channel 20 V 3.4 A 154 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 10.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=--4.8A VDSS=-12V 2 774Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 4 000

Si SMD/SMT SOT-563-6 P-Channel 1 Channel 12 V 4.8 A 26 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 700 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P-Ch U-MOS VI FET ID -6A -20V 1650pF 892Na stanie magazynowym
3 000Oczekiwane: 17.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UF-6 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 54 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 23.1 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS 106Na stanie magazynowym
3 000Oczekiwane: 04.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 89.6 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 12.8 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 3 697Na stanie magazynowym
12 000Oczekiwane: 13.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si N-Channel 2 Channel U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+/-8V, ID=-3.0A, RDS(ON)=0.103Ohm @ 4.5V, in UFM package 2 711Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3 A 103 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel