TK16A60W,S4VX
Zobacz specyfikację produktu
Produc.:
Opis:
MOSFETs N-Ch 600V 15.8A 40W DTMOSIV 1350pF 38nC
Na stanie magazynowym: 121
-
Stany magazynowe:
-
121 Wysylamy natychmiastWystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
-
Średni czas produkcji:
-
18 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Cennik (PLN)
| Il. | Cena jednostkowa |
wewn. Cena
|
|---|---|---|
| 13,07 zł | 13,07 zł | |
| 6,06 zł | 60,60 zł | |
| 5,68 zł | 568,00 zł | |
| 4,86 zł | 2 430,00 zł | |
| 4,60 zł | 4 600,00 zł |
Karta charakterystyki
Application Notes
- Basics of Diodes (Absolute Maximum Ratings and Electrical Characteristics)
- Basics of Diodes (Power Losses and Thermal Design)
- Basics of Diodes (Types and Overview of Diodes)
- Bipolar Transistors
- Bipolar Transistors
- Bipolar Transistors
- Bipolar Transistors Maximum Ratings
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Surface Mount Small Signal Transistor (BJT) Precautions for use
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
- TARIC:
- 8541290000
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- KRHTS:
- 8541299000
- MXHTS:
- 85412999
- ECCN:
- EAR99
Polska
