Toshiba DTMOSIV Układy MOSFET

Wyniki: 112
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Nazwa handlowa Opakowanie
Toshiba MOSFETs Power MOSFET N-Channel 2 567Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 156 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 55 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Power MOSFET N-Channel 7 464Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 5.8 A 890 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC 5 745Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 820 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 12 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs N-Ch 800V 1400pF 23nC 11.5A 45W 2 476Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11.5 A 380 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=130W F=1MHZ 991Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Power MOSFET N-Channel 1 657Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 440 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 22 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFETs MOSFET NChannel 068ohm DTMOS 20Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 100 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs MOSFET NCh trr100 nsn 0.25ohm DTMOS 47Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 40 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFETs Power MOSFET N-Channel 34Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17.3 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs Power MOSFET N-Channel 192Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 440 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 22 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ 551Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6.5 A 950 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch 9.7A 80W FET 600V 700pF 20nC 449Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 9.7 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 20 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=80W F=1MHZ 1 788Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 7.8 A 670 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 16 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8?8-OS PD=139W F=1MHZ 2 495Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 245 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs DTMOSIV 600V 340mOhm 115A 100W 890pF 25nC 757Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 11.5 A 340 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 25 nC - 55 C + 150 C 100 W DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFETs Power MOSFET N-Channel 4 415Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38.8 A 62 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 135 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF 74Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-3PL-3 N-Channel 1 Channel 600 V 100 A 15 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 360 nC - 55 C + 150 C 797 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs Power MOSFET N-Channel 1 288Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSIV 600V 240W 3000pF 30.8A 1 587Na stanie magazynowym
2 250Oczekiwane: 10.02.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 87 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 105 nC + 150 C 240 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Power MOSFET N-Channel 257Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9.7 A 350 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 25 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nC 79Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9.7 A 327 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 20 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch 800V 1150pF 19nC 9.5A 40W 188Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 9.5 A 460 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 19 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC 61Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9.7 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 20 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 80W 700pF 20nC 9.7A 150Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9.7 A 327 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 20 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs MOSFET NChannel 0.33ohm DTMOS 53Na stanie magazynowym
250Oczekiwane: 17.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11.1 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 25 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement DTMOSIV Tube