Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

TGF2929-FL

Name: Qorvo TGF2929-FL
Brand: Qorvo
SKU: 772-TGF2929-FL
Price: 3212.96 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

772-TGF2929-FL

Nr prod.:

TGF2929-FL

Produc.:

Qorvo

Opis:

GaN FETs DC-3.5GHz 100W 28V GaN

Karta charakterystyki:

TGF2929-FL Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Qorvo TGF2929-FL

Na stanie magazynowym: 33

Stany magazynowe:: 33 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 20 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	3 212,96 zł	3 212,96 zł
25	Oferta

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Qorvo
Kategoria produktów:	Tranzystory GaN FET
RoHS:
Styl mocowania:	Screw Mount
Opakowanie/obudowa:	NI-360
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	28 V
Id – Ciągły prąd drenu:	12 A
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 7 V, + 2 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	- 2.9 V
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 85 C
Pd – strata mocy:	144 W
Marka:	Qorvo
Maksymalna częstotliwość robocza:	3.5 GHz
Minimalna częstotliwość robocza:	0 Hz
Wrażliwość na wilgoć:	Yes
Moc wyjściowa:	100 W
Opakowanie:	Tray
Rodzaj produktu:	GaN FETs
Seria:	TGF2929
Wielkość opakowania producenta:	25
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	GaN-on-SiC
Rodzaj:	RF Power MOSFET
Nazwy umowne nr części:	TGF2929 1123811
Jednostka masy:	64,190 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

TGF2929-FL Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 854239099
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

TGF2929 GaN RF Power Transistors

Qorvo TGF2929 GaN RF Power Transistors are discrete GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) HEMTs (High-Electron Mobility Transistor) that operate from DC to 3.5GHz. They are constructed with the QGaN25HV process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization can potentially lower system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.