SGT65R65AL

STMicroelectronics
511-SGT65R65AL
SGT65R65AL

Produc.:

Opis:
GaN FETs 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor
Dokończ swój projekt

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o STMicroelectronics SGT65R65AL

Dostępność

Stany magazynowe:
0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Średni czas produkcji:
52 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ †
35,99 zł 35,99 zł
24,90 zł 249,00 zł
20,25 zł 2 025,00 zł
20,12 zł 10 060,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
17,46 zł 52 380,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
STMicroelectronics
Kategoria produktów: Tranzystory GaN FET
RoHS:  
SMD/SMT
PowerFLAT-4
N-Channel
1 Channel
650 V
25 A
65 mOhms
+ 6 V
1.8 V
5.4 nC
- 55 C
+ 150 C
305 W
Marka: STMicroelectronics
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: CN
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Opakowanie: Reel
Opakowanie: Cut Tape
Opakowanie: MouseReel
Rodzaj produktu: GaN FETs
Seria: SGT
Wielkość opakowania producenta: 3000
Podkategoria: Transistors
Technologia: GaN-on-Si
Rodzaj tranzystora: E-Mode
Rodzaj: RF Power MOSFET
Jednostka masy: 76 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Karta charakterystyki

Application Notes

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SGT65R65AL e-mode PowerGaN Transistors

STMicroelectronics SGT65R65AL e-mode PowerGaN Transistors are 650V, 25A transistors combined with well-established packaging technology. The STMicroelectronics SGT65R65AL has a resulting G-HEMT device that provides extremely low conduction losses, high current capability, and ultra-fast switching operation. The device can enable high power density and unbeatable efficiency performances.

SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors

STMicroelectronics SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.