SGT190R70ILB

STMicroelectronics
511-SGT190R70ILB
SGT190R70ILB

Produc.:

Opis:
GaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
Dokończ swój projekt

Cykl życia:
Nowe produkty:
Nowości od tego producenta.
Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o STMicroelectronics SGT190R70ILB

Dostępność

Stany magazynowe:
Niedostępne na stanie
Średni czas produkcji:
52 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 3000   Wielokrotności: 3000
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
4,90 zł 14 700,00 zł
4,82 zł 28 920,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
STMicroelectronics
Kategoria produktów: Tranzystory GaN FET
SMD/SMT
PowerFLAT-8
700 V
11.5 A
190 mOhms
- 6 V, + 7 V
2.5 V
2.8 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
Marka: STMicroelectronics
Konfiguracja: Single
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: Not Available
Czas zanikania: 4 ns
Opakowanie: Reel
Produkt: FET
Rodzaj produktu: GaN FETs
Czas narastania: 4 ns
Seria: SGT
Wielkość opakowania producenta: 3000
Podkategoria: Transistors
Technologia: GaN
Rodzaj: PowerGaN Transistor
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 1.7 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 1.4 ns
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Karta charakterystyki

PCN

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors

STMicroelectronics SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.