Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

IGI65D1414A3MSXUMA1

Name: Infineon IGI65D1414A3MSXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGI65D1414A3MSXU
Price: 26.23 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-IGI65D1414A3MSXU

Nr prod.:

IGI65D1414A3MSXUMA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

GaN FETs Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

IGI65D1414A3MSXUMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 2 392

Stany magazynowe:: 2 392 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 18 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	26,23 zł	26,23 zł
	17,72 zł	177,20 zł
	13,20 zł	1 320,00 zł
	11,95 zł	11 950,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	11,22 zł	33 660,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Tranzystory GaN FET
RoHS:
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	QFN-32
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	2 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	650 V
Rds On – rezystancja dren–źródło:	170 mOhms
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1.6 V
Qg – ładunek bramki:	1.8 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Marka:	Infineon Technologies
Konfiguracja:	Dual
Kraj montażu:	MY
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	AT
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Produkt:	Transistors
Rodzaj produktu:	GaN FETs
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	GaN
Rodzaj tranzystora:	2 N-Channel
Nazwy umowne nr części:	IGI65D1414A3MS SP005970004

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IGI65D1414A3MSXUMA1 Karta charakterystyki (PDF)

USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

CoolGaN™ 650V G5 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ 650V G5 Transistors feature highly efficient gallium nitride (GaN) transistor technology for power conversion. The 650V G5 family addresses consumer, data center, industrial, and solar application challenges. The transistors offer improved system efficiency and power density with ultra-fast switching capability. The CoolGaN technology provides discrete and integrated solutions designed to enhance overall system performance. The Infineon Technologies CoolGaN 650V G5 Transistors enable high operating frequencies and reduce EMI ratings. The transistors are ideal for power distribution, switch-mode power supplies (SMPS), telecommunications, and other industrial applications.